·IR 推出可靠的超高速 1200 V IGBT (2011/9/7 10:15:05)
可显著降低开关及传导损耗，提升整体系统效率 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，...

·Diodes 40V 闸极驱动器减少 IGBT 开关损耗 (2011/7/6 15:26:35)
Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器（gate driver） ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。 当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入...

·IR坚固可靠的高压栅级驱动IC采用PQFN4x4封装, 减少高达85% 占位面积 (2011/6/30 10:00:56)
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR较新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案。 ...

·美国国家半导体推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器 (2011/6/27 12:01:54)
高度集成的半桥栅极驱动器提高了高压应用的功率密度和效率 二零一一年六月二十一日 -- 中国讯 -- 美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp.）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）今天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强...

·美国国家半导体推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET的100V半桥栅极驱动器 (2011/6/23 18:04:10)
高度集成的半桥栅极驱动器提高了高压应用的功率密度和效率 美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp.）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）今天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的100V半桥栅极驱动器。美国...

·IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合 (2011/6/16 10:22:13)
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR较新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电...

·飞兆半导体功率级非对称双MOSFET器件，满足电源设计人员的高功率密度和易于设计要求 (2011/6/14 11:10:44)
新模块产品具有市场上所有5mm×6mm双MOSFET解决方案的 较大输出电流 电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fa...