您好,欢迎光临电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
新闻搜索

选择分类:

当前位置:首页 >> 新闻中心 >> 半导体 >>
◎ 相关新闻列表
·配备数字接口并为节能DC/DC转换器提供超高系统精度的输入功率监控器IC (2009/3/31 10:01:05)
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IR3725输入功率监控器IC。新器件配备数字I²C接口,适用于节能型中央处理器、服务器及存储应用所采用的低电压DC/DC转换器。 IR3725是为12V电源而设的...
·极快的宽输入范围降压型 DC/DC 控制器 (2009/3/26 15:27:10)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率 No RSENSETM 同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3878 和 LTC3879。它们的恒定接通时间谷值电流模式控制和很短的 43ns 较短接通时间允许非常小的占空比,非常适用于高降压比和极快瞬态...
·有效延长电池寿命的MicroFET™ MOSFET (2009/3/19 11:58:22)
专业提供可提升能效的高性能产品全球领先供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N沟道和单N沟道MOSFET器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。 这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0...
·飞兆半导体的初级端调节PWM控制器简化设计并减少线路板空间 (2009/3/10 9:23:34)
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新初级端调节 (primary-side regulation, PSR) 脉宽调制 (PWM) 控制器系列,实现精简又高效的电池充电器和电源电路设计。这些EZSWITCH™ 初级端调节控制器集成了一个初级端调...
·可简化设计并减少线路板空间的初级端调节PWM控制器 (2009/3/5 14:40:36)
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新初级端调节 (primary-side regulation, PSR) 脉宽调制 (PWM) 控制器系列,实现精简又高效的电池充电器和电源电路设计。这些EZSWITCH™ 初级端调节控制器集成了一个初级端调...
·飞兆半导体Motion-SPM™产品为美的银河系列低功耗直流变频空调优化功率设计 (2009/3/5 14:07:50)
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor, 专业提供可提升能效的高性能产品的全球领先半导体器件供应商) 获中国较大家用电器生产商和出口商之一美的集团选为主要的直流变频空调逆变器解决方案供应商。 飞兆半导体的Motion-SPM器件来实现功率电路优化并简化设计,将用于美的集团...
·针对3V~20V工作电压提供高灵活保护热插拔管理器 (2009/3/3 19:30:37)
德州仪器 (TI) 于 2009 年应用电力电子技术国际会议 (APEC 2009) 上宣布推出三款新型热插拔管理器,可针对工作电压介于 3 V~20 V 的电压轨提供过电流保护,工作电流可达 5A。TPS2420 采用微型 16 引脚 QFN 封装,而 TPS2421-1 与 TPS2421-...
·新型初级侧控制离线式开关IC系列 (2009/3/3 19:26:41)
用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出LNK632DG器件,为其广受欢迎的LinkSwitch-II产品系列再添新品。新器件针对较高输出功率3.1 W的电源应用而设计,使制造商能够满足包括能源之星â ...
·凌力尔特推出 LTC3803 的 H 级版本 (2009/3/2 17:27:46)
2009年3月2日,凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3803 的 H 级版本,该器件是一个电流模式反激式 DC/DC 控制器,采用纤巧 6 引脚 ThinSOTTM 封装,规定的工作结温范围为 -40oC 至 +150oC。该器件以其超低 4...
·在650V额定电压下取得较佳单位面积导通电阻、能效和功率密度的MDmesh™ V功率MOSFET (2009/2/26 9:21:31)
功率半导体产品的全球领导者意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,较新的MDmesh™ V技术达到业内较低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下,采用紧凑型功率封装,使能效...
首页 上一页 下一页 尾页 共453条 每页显示10条 共46
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-2 京公网安备110105003345号