新闻中心_新闻列表

新闻搜索

热点推荐

点击排行

年

月

无相关新闻...

◎ 所有相关新闻列表

·凌力尔特公司推出2.6A、36V 降压型开关稳压器 LT3694 (2010/11/22 10:55:02)
瞬态保护达70V、36V输入、2.6A(IOUT)、2.5MHz的降压型DC软启动引脚和可编程欠压闭锁。LT3694还提供同步功能。如果需要一个时钟输出信号来与其他外部设备同步，那么可使用LT3694-1版本...

·泛华测控参加NI DAYS 与工程师共享锦囊妙计 (2010/11/22 9:26:02)
2010年11月4日，2010年度“NIDAYS全球图形化系统盛会”中国站在上海国际会议中心盛大举行。作为连续11次在中国地区举办的行业技术盛会，今年会议围绕着“创新，让世界更美好”为主题，打造了一...

·英飞凌保持功率半导体市场头号供应商地位并持续提高市场份额——在节能应用和可再生能源领域实现强劲增长 (2010/11/19 17:10:14)
2010年11月19日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司连续七年高居全球功率半导体和模块市场榜首。尽管面临困难的经济环境，英飞凌在2009年仍然提高了市场份额。据IMSResearch*较新报告，全球功...

·智能之旅动于新意，GE智能平台2010年大学生自动化控制设计大赛”圆满落幕 (2010/11/19 16:51:00)
历时了7个月、经历了报名、预赛和决赛三个阶段的“智能之旅，动于新意，GE智能平台2010年大学生自动化控制设计大赛”之决赛，于10月28日在福建工程学院圆满地落下了帷幕。该设计大赛是GE智...

·Pericom发布全新高速PCIe® 3.0信号交换、信号质量及频率控制解决方案 (2010/11/19 11:06:40)
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormala:link,span.MsoHyperlinka:visited,span.MsoHyperlinkFolloweddiv.Section1全面创新的产品线支持较新的PCIExpress®8G...

·IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列 (2010/11/19 11:05:22)
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormalh2p.MsoBodyText,li.MsoBodyText,div.MsoBodyTextpp.CharChar3CharCharCharChar,li.CharChar3CharCharCharChar,div.CharChar3C...

·Ramtron和奥地利微电子公司合作提供面向数据丰富应用的第三代自动识别RF解决方案 (2010/11/19 11:04:14)
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormalh2div.Section1MaxArias™无线存储器套件采用高性能、低功耗F-RAM技术，能够评测创新的移动数据采集系统世界领先的低...

·飞兆半导体获颁《电子设计技术》杂志2010年度创新奖 (2010/11/19 11:03:03)
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormala:link,span.MsoHyperlinka:visited,span.MsoHyperlinkFollowedpspan.apple-style-spanspan.apple-converted-spacediv.Sec...

·Diodes多拓扑LED驱动器提升高亮度照明系统的性能 (2010/11/19 11:01:37)
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormalp.ContactHeading,li.ContactHeading,div.ContactHeadingdiv.Section1Diodes公司推出全新多拓扑LED驱动器，全面提升高亮度汽车、...

·安森美半导体进一步扩充时序器件阵容，推出新的VCXO模块 (2010/11/19 11:00:27)
p.MsoNormal,li.MsoNormal,div.MsoNormala:link,span.MsoHyperlinka:visited,span.MsoHyperlinkFolloweddiv.Section1新的NBVSPAXXX器件提供LVDS差分输出、±50ppm的...

首页上一页　下一页　尾页　共22027条　每页显示10条　共2203/1324页