中国电子应用网 > 视频专区 > 【安森美半导体技术视频】超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩 > 正文

【安森美半导体技术视频】超级结MOSFET及低成本IGBT方案用于电动汽车充电桩

2019/8/29 15:20:06

• 用户名：
• 密　码：

• 用户名：
• 密　码：
• 姓　名：
• 邮　箱：
• 手　机：

简介： 电动汽车进程在持续推进以配合节能减排的趋势，对充电桩的需求激增。为缩短充电时间和节省空间，需要更高能效、输出功率、功率密度和可靠的电源模块方案。本次研讨会将重点介绍安森美半导体强大阵容中的高压超级结MOSFET、具成本优势的IGBT及二极管方案，关键参数优于竞争对手，有助于实现更高性能、能效和更低损耗，是用于电动汽车充电桩DC-DC、功率因数校正(PFC)等电源模块的极佳选择。