飞兆半导体Dual Cool™ 封装满足DC-DC设计对更高功率密度需求

2010年10月26日16:40:46 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

新技术通过封装顶部实现额外的功率耗散

随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑，设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题，而器件的热性能是人们关注的考虑因素。

为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 开发出用于MOSFET器件的Dual Cool™封装，Dual Cool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件，可以通过封装的顶部实现额外的功率耗散。

Dual Cool封装具有外露的散热块，能够显著减小从结点到外壳顶部的热阻。与标准PQFN封装相比，Dual Cool封装在配合散热片使用时，可将功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool 封装的MOSFET通过使用飞兆半导体专有的PowerTrench^®工艺技术，能够以较小的封装尺寸实现更低的R_DS(ON)和更高的负载电流。

不同于其它采用顶部冷却的解决方案，这些器件提供有Power33 (3.3mm x 3.3mm)和Power56 (5mm x 6mm) Dual Cool封装选项。Dual Cool封装保持与行业标准PQFN相同的占位面积，可让功率工程师快速验证采用Dual Cool封装的MOSFET器件，无需采用非标准封装，即可获得更佳的热效率。

目前采用Dual Cool封装的器件包括FDMS2504SDC、FDMS2506SDC、FDMS2508SDC、FDMS2510SDC (5mm x 6mm)和FDMC7660DC (3.3mm x 3.3mm)，这些器件是用于DC-DC转换器、电信次级端整流和高端服务器/工作站应用的同步整流MOSFET的理想选择。飞兆半导体Dual Cool 封装MOSFET具有顶部冷却和超低结温(RthJA)特性，能够提升热效率。采用Dual Cool封装的MOSFET器件可以使用或不使用散热片。要了解有关Dual Cool封装器件的更多信息，请访问网页: www.fairchildsemi.com/dualcool。