您好,欢迎光临电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
当前位置:电子应用网 > 新闻中心 > 正文

IR推出IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片组专为注重成本的DC-DC应用而设计

2010年12月14日15:34:45 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片组,特别为注重成本的19V输入同步降压应用 (如笔记本电脑) 而设计。

IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元件数量达30%,大幅降低了整体系统成本。这些新款DirectFET MOSFET具有低电荷和低导通电阻 (RDS(on))  ,较大限度减少了传导及开关损耗。IRF6728M还备有单片型集成式萧特基二极管 (Schottky) ,可以降低与体二极管导通和反向恢复相关的损耗。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IRF6708S2和IRF6728M芯片组能够为注重成本的DC-DC开关应用提供高效率、且具有成本效益的解决方案,而DirectFET确保的卓越热特性充分体现了一流的整体价值。”

IRF6708S2和IRF6728M采用了IR较新一代的30V MOSFET硅技术。这些新器件除了拥有低导通电阻和低电荷,也具有DirectFET封装低寄生电阻电感和卓越的散热性能。

产品规格

器件编号

BVDSS (V)

10V下的典型RDS(on)  (m)

4.5V下的典型RDS(on)  (m)

VGS (V)

4.5V下的典型QG  (nC)

4.5V下的典型QGD (nC)

IRF6728M

30

1.8

2.8

+/-20

28

8.7

IRF6708S2

30

7.5

12.0

+/-20

6.6

2.2

产品详细数据及应用说明可浏览IR网页www.irf.com

新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ,现已接受批量订单。

专利和商标

DirectFET 和 IR 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

IR简介

国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球较大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com ,中国网站:www.irf.com.cn

网友评论:已有2条评论 点击查看
登录 (请登录发言,并遵守相关规定)
如果您对新闻频道有任何意见或建议,请到交流平台反馈。【反馈意见】
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-2 京公网安备110105003345号