Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有业内P沟道器件的较低导通电阻

采用PowerPAK^® SC-70封装的器件的导通电阻低至16mΩ，占位面积为2mm x 2mm

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 1 月 24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET^® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK^® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的较低导通电阻。

SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分别具有16mΩ、26mΩ、32mΩ和95mΩ的超低导通电阻。较接近的竞争器件是具有8V栅源电压等级的20V P沟道功率MOSFET，在4.5V、1.8V和1.5V栅极驱动下的导通电阻分别为25.8mΩ、41.1mΩ和63.2mΩ，分别比SiA427DJ高36%、37%和47%。与采用标准SC-70封装的典型器件相比，在占用相同PCB面积的情况下，PowerPAK SC 70在相同环境条件下可处理的功率耗散多40%。

SiA427DJ所采用的超小尺寸PowerPAK SC-70封装为小型手持式电子设备进行了优化。新器件可用做手机、智能手机、MP3播放器、数码相机、电子书和平板电脑等便携式设备中的负载开关。

对于这些设备而言，SiA427DJ更低的导通电阻意味着可实现更低的导通损耗，从而延长两次充电之间的电池寿命。器件在1.2V下的低导通电阻非常适合低总线电压。当电源线电压波动时，使用1.2V电源总线的应用也能够享受到MOSFET在1.5V和1.8V下低导通电阻的好处，让SiA427DJ能够发挥较佳的整体节能效果。

MOSFET经过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令2002/95/EC。

新款SiA427DJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的较大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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