Vishay Siliconix的新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET

2011年03月07日12:29:06 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

器件采用新型ThunderFET^®技术和SO-8/PowerPAK^® SO-8封装

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET^®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET^®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内较低的导通电阻。此外，该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中较佳的，该数值是衡量DC/DC转换器应用中MOSFET性能的优值系数(FOM)。

SiR870DP在4.5V电压下的7.8mΩ导通电阻是业内较低的。这款MOSFET在10V电压下的导通电阻也非常低，仅有6mΩ。对于设计者来说，更低的器件导通电阻意味着更低的传导损耗，同时也使节能的绿色产品减少功耗。

SiR870DP在4.5V电压下具有低至208 mΩ-nC的FOM，从而能在更高频率和开关应用中降低传导和开关损耗。对于采用SO-8封装器件的设计者，Si4190DY在10V和4.5V电压下的导通电阻为8.8mΩ和12mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为340 mΩ-nC和220 mΩ-nC，均达到业内较佳水准。

今天发布的器件针对用于电信的砖式电源和总线转换器应用的隔离式DC/DC电源中初级侧开关和次级侧同步整流进行了优化。这些MOSFET能在4.5V电压下导通，因此各种PWM和栅极驱动IC都能进入到设计者的备选之列。而使用5V额定电压的IC，不但能够降低栅极驱动损耗，而且由于无需使用单独的12V电源轨，能够简化电源的整体设计。

SiR870DP和Si4190DY经过了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，并符合RoHS指令2002/95/EC。

器件规格表:

型号	SiR870DP	Si4190DY
封装	PowerPAK SO-8	SO-8
V_DS (V)	100	100
V_GS (V)	± 20	± 20
R_DS(ON) @ 10 V (mΩ)	6	8.8
R_DS(ON) @ 7.5 V (mΩ)	6.4
R_DS(ON) @ 4.5 V (mΩ)	7.8	12
FOM @ 10 V (mΩ-nC)	334	340
FOM @ 7.5 V (mΩ-nC)	272
FOM @ 4.5 V (mΩ-nC)	208	220

新款MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的较大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

Vishay Siliconix的新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET

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