飞兆半导体60V PowerTrench® MOSFET器件满足设计人员对降低传导损耗和开关损耗的需求

器件能够减小电源占位面积，提高功率密度并提升设计效率

DC-DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用，以及服务器的次级同步整流应用的设计人员，需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。

为了满足这一需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出N沟道PowerTrench® MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以较大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC-DC转换器的整体效率。

FDMS86500L是采用行业标准5mm x 6mm Power 56封装的器件，它结合了先进的封装技术和硅技术，显著降低了导通阻抗R_DS(ON) (2.5mΩ @ V_GS = 10V, I_D=25A)，实现更低的传导损耗。

此外，FDMS86500L使用屏蔽栅极功率MOSFET技术，提供极低的开关损耗 (Q_gd 14.6 nC Typ.)，结合该器件的低传导损耗，可为设计人员提供其所需的更高的功率密度。

FDMS86500L MOSFET器件具有更好的品质因数(R_{DS(ON) *} Q_G)，提供高效率和低功耗，以期满足效率标准和法规的要求。

FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增强型体二极管技术以实现软恢复；MSL1稳固封装设计；经过100% UIL测试，并符合RoHS标准。

FDMS86500L是飞兆半导体新型60V MOSFET产品系列中的首款器件，这些新型 60V MOSFET器件的推出，进一步强化公司中等电压MOSFET产品系列。飞兆半导体拥有业界较广泛的 MOSFET产品系列，向设计人员提供多种技术选择，以便为应用挑选合适的MOSFET器件。飞兆半导体充分认识到空间受限的应用场合对电流更高、占位面积更小的DC-DC电源的需求，并且了解客户及其所服务的市场，因而能够提供具有独特功能、工艺和封装创新组合的量身定做解决方案，实现电子设计差异化。

飞兆半导体： 卓越技术助您实现成功！

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飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) － 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息，请访问网站：www.fairchildsemi.com。

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