您好,欢迎光临电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
当前位置:电子应用网 > 新闻中心 > 正文

Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封装提高效率

2011年11月28日12:14:07 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升电池效率及减少电路板空间,并满足空间局限的便携式产品设计要求,如智能手机及平板计算机等。

 

        这款新MOSFET采用超精密及高热效率的DFN1616封装,并具有极低的导通电阻 (RDS(on)) 特性,能将传导损耗降至较低水平,从而延长电池寿命。例如在VGS4.5V的条件下,该MOSFET的导通电阻仅为29mΩ,这比其较接近的竞争对手产品的导通电阻性能还要优越15%,有利于电源中断及一般负载开关的应用。

 

        DFN1616的标准离板剖面为0.5毫米,比其对手的产品薄20%,并只占2.56平方毫米的印刷电路板面积 (PCB),比竞争对手同类型2毫米乘2毫米的较大封装节省55%的空间。

 

        同时,DMP1245UFCL为用户提供防静电放电 (ESD) 的增强保护。该MOSFET的额定闸极保护为3kV,比同类产品高出50%,因此对人为产生的静电放电所造成的影响有很强的抵御作用。

 

        有关产品的进一步信息,可浏览www.diodes.com

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Diodes简介

 

Diodes Incorporated 是一家标准普尔小市值 600 指数(S&P SmallCap 600 Index)及罗素 3000 指数公司,是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商,服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器,涵盖 LED 驱动器、DC-DC 开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件,以及 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。

 

Diodes 公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州普莱诺市,在普莱诺市、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心;在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂;在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂,另在成都设有合资工厂;在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓储及物流办事处;并在世界各地设有销售及支持办事处。

 

更多详尽信息,包括美国证交会档案,请浏览公司网站:www.diodes.com

网友评论:已有2条评论 点击查看
登录 (请登录发言,并遵守相关规定)
如果您对新闻频道有任何意见或建议,请到交流平台反馈。【反馈意见】
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-2 京公网安备110105003345号