巩固传统优势 拓展新兴市场
——KLA-Tencor首席营销官Brian Trafas博士解读公司全新市场策略
日前,KLA-Tencor首席营销官Brian Trafas博士在上海发布新产品时接受了记者采访,回顾了公司近年来的成就,并根据对市场的分析畅谈了未来的发展策略,表示太阳能和LED领域的业务对公司未来业务的增长至关重要。
消费电子推动半导体产业增长
Brian Trafas博士认为,消费电子产品驱动着半导体产业的增长。今天,手机已成为人类历史上较大的平台,平板电脑和更轻的移动计算迎来了高增长率,视频内容、社会化媒体、照片、娱乐和购物都在推动云计算的增长。消费者需要更快、更便宜、更小、电池寿命更长的设备。这些就是电子产业价值链的利益所在。
他表示,估计2011电子设备收入约为148.5亿美元,半导体为3000亿美元,半导体资本支出61.8亿美元,晶圆厂设备为345亿美元,而工艺监控设备为39亿美元。KLA-Tencor利益自己的全球经验、可以信赖的性能、未来的R&D投资为其核心市场客户提供了 全方位的支持。
新产品应运而生
较近,KLA-Tencor推出了其先进的无线温度监控晶圆SensArray系列的新产品。该系列产品可以按照时间对现场温度进行监控,以捕捉工艺环境对生产晶圆的影响,这有助于集成电路(IC)制造商改善其固定设备的投资回报(ROI)。
利用65个传感器监控晶圆温度
通过与领先的集成电路制造商及原始设备制造商(OEM)协作开发,EtchTemp™-SE(ET-SE)、ScannerTemp™ 和WetTemp™-LP产品让客户能够在真正工艺条件下对整个晶圆表面的温度信息进行监控。先进的半导体制造工艺对温度更加敏感,因此,监控温度变化已成为半导体生产中一个愈加关键的要素。
工艺与设备工程师在以下几个方面使用SensArray热量信息:晶圆表面温度监控是制造设备性能的重要指标。该信息帮助集成电路制造商确保设备正常运行,让他们能够增加设备的无故障运行时间,并降低机台维护成本和拥有成本;多个设备组之间的温度变化是机台检验中的关键参数,从而可以更有效地提高产能;追踪温度变化数据能够加快对工艺偏移的根源分析,并侦测未来可能偏移的趋势。
Brian Trafas博士表示:“KLA-Tencor的SensArray产品让客户能够大幅增加关键制造设备的无故障运行时间,并改善工艺的一致性。目前客户已投资至少40亿美元到32纳米晶圆生产线,通过KLA-Tencor的无线温度监控这类的产品,能够更快地提升产能并更高效地使用资本,让集成电路制造商能够提高其投资回报。”
他还介绍了较近一段时间推出的一些新产品。例如,作为业界领先的EtchTemp产品补充的EtchTemp-SE(ET-SE)。ET-SE可在硅蚀刻制程期间进行温度晶圆监控,以比其他方法更高的信噪比提供温度监控数据。ScannerTemp允许对干式与浸没式光刻系统进行高度精确的温度监控,其叠层对准性能对热变化高度敏感。它采用平面标准厚度晶圆格式,可以在20
KLA-Tencor还推出了BaseStation 300Z,这是采用智能型前开式标准晶圆盒(Front Opening Universal Pod,简称 FOUP)的存储解决方案,为客户提供了干净且方便的环境,用于EtchTemp(介电层蚀刻)、EtchTemp-SE(硅蚀刻)、ScannerTemp和WetTemp-LP晶圆的存储、装载和数据传输。
拓展新兴领域
自1976年以来,KLA-Tencor就在良率推进方面领先全球市场,包括晶圆、光罩、服务/应用。伴随LED和太阳能等新兴应用的兴起,公司将继续加大对不断增长的新兴市场的关注和整合收购。
Brian Trafas博士表示,利用新兴市场的良率管理知识,KLA-Tencor已把中国LED和太阳能市场作为其重点领域。他认为,中国的太阳能公司将占据全球70%左右的晶圆产量,到2015年可实现80%的C-Si电池产量。预计到2015年中国LED衬底和外延公司将分别增长到全球能力的60%和45%。
为此,KLA-Tencor推出了一系列工艺监控产品组合。在太阳能方面有ICOS PVI电池和晶圆检测模块、FabVision太阳能电池良率管理软件和P系列表面形貌检测设备;在LED方面有Candela 8620缺陷检测和外延工艺控制、ICOS WI晶圆缺陷检测和Klarity LED晶圆缺陷分析等。这些技术和设备的推出充分证明了KLA-Tencor在LED和太阳能领域的不遗余力。
工艺监控是
谈到未来几年后可能出现的
450毫米晶圆需要更高的检测能力
Surfscan SP3已实现450毫米能力
Brian Trafas博士称,KLA-Tencor已拥有了使450毫米获得成功的关键技术储备,例如Surfscan SP3就具备了裸晶圆和毯覆层薄膜(Blanket Film)检查和表面质量能力。针对2Xnm节点的DUV感光度和高达3.5倍的吞吐量增益,可以将晶圆尺寸延展至450毫米,适用于研发或试生产,有助于实现2Xnm节点的衬底和芯片制造。
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