您好,欢迎光临电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
当前位置:电子应用网 > 新闻中心 > 正文

凌力尔特新推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器能在更广的温度范围内工作

2008年12月05日11:19:25 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

2008 年 12 月 5 日,凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 级新版本,该器件是一个高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 驱动器,以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。该驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特诸多 DC/DC 控制器中的一款组合起来,形成了一个完整的高效率同步稳压器。LTC4444MP-5 可在 -55°C 至 125°C 的结温范围内运作并进行了全面的测试,而“ I ”等级器件版本的工作温度范围则为 -40°C 至 85°C。

利用一个 1.5Ω 上拉阻抗,这款强大的驱动器能够供应一个高达 1.4A 的电流 (用于驱动高端 MOSFET);而利用一个 0.75Ω 下拉阻抗,该驱动器可提供一个 1.75A 的源电流 (用于驱动低端 MOSFET),从而使其非常适合于驱动高栅极电容、高电流 MOSFET。LTC4444MP-5 还可以为较高电流的应用驱动多个并联 MOSFET。在驱动一个 1,000pF 负载时,高端 MOSFET 的快速 8ns 上升、5ns 下降时间以及低端 MOSFET 的 6ns 上升时间、3ns 下降时间较大限度地减小了开关损耗。集成自适应连通保护以较大限度缩短死区时间,同时防止高端和低端 MOSFET 同时导通。

LTC4444MP-5 为两个不受电源影响的输入而配置。高端输入逻辑信号从内部电平移动至自举电源,这个功能可以在比地电平高 114V 时正常发挥作用。此外,这个器件在 4.5V 至 13.5V 的范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极。

LTC4444MP-5 采用耐热增强型 MSOP-8 封装,千片批购价为每片 2.88 美元。


图片说明
:DC/DC 转换器的高可靠性 100V 同步 MOSFET 驱动器


性能概要:LTC4444MP-5

  • 高速/高压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
  • 较高电源电压为 100V
  • -55°C 至 +125°C 的军用级塑封工作温度范围
  • 大驱动电流:0.75Ω 下拉阻抗
  • 4.5V 至 13.5V 栅极驱动电压
  • 自适应连通保护
  • 驱动高端和低端 MOSFET
  • 高端栅极:8ns 上升,5ns 下降 (当驱动 1,000pF)
  • 低端栅极:6ns 上升,3ns 下降 (当驱动 1,000pF)
  • 用于栅极驱动电压的欠压闭锁
  • 耐热增强型 MSOP-8 封装

如需了解更多信息,请登录 www.linear.com.cn

网友评论:已有2条评论 点击查看
登录 (请登录发言,并遵守相关规定)
如果您对新闻频道有任何意见或建议,请到交流平台反馈。【反馈意见】
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-2 京公网安备110105003345号