飞兆半导体 20V 单 P 通道 PowerTrench® MOSFET 改善便携式设备电池充电和负载开关

设备提供轻薄包装和低闸(门极)漏电流

帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其  P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线 。

FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具备 MicroFET™ MOSFET 包装，并按照它们的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越热性能，让它们完全匹配开关和线性模式应用。  在 20V 的额定电压下，设备提供低通路电阻。 为预防静电放电 (ESD) 失败，FDMA910PZ 和 FDME910PZT  装有优化稳压二极管保护设备，这也将使较大额定 IGSS 泄漏从 10μA 降至 1μA。

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http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html

http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html

特色及优势：

FDMA910PZ

·        较大 R_DS = 20 mΩ，需 V_GS = -4.5V，I_D = -9.4 A

·        较大 R_DS = 24 mΩ，需 V_GS = -2.5V，I_D = -8.6 A

·        较大 R_DS = 34 mΩ，需 V_GS = -1.8V，I_D = -7.2 A

·        低配置－配备 HBM ESD 保护的 MicroFET 2 X 2 mm 包装较大为 0.8 mm

级别 > 2.8kV 标准

PDME910PZT

·        较大 R_DS= 24mΩ，需 V_GS = -4.5 V，I_D = -8A

·        较大 R_DS= 31mΩ，需 V_GS = -2.5 V，I_D = -7A

·        较大 R_DS= 45mΩ，需 V_GS = -1.8 V，I_D = -6A

·        低配置： 配备 HBM ESD 保护的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包装较大为 0.55 mm

级别 > 2kV 标准

FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含卤化物和氧化锑，并且为 RoHS 兼容。 两种设备都提供低电压安全操作，并适用于手机和便携式设备。

飞兆半导体是移动科技领导者，可提供大量模拟和电源 IP 系列产品，并可定制以满足特殊设计需求。 飞兆半导体通过将领先的电路技术集成在微型高级包装中，为便携产品用户提供重要的优势，同时能够减小设计的尺寸、成本和功耗。 飞兆半导体的便携 IP 已用于现今大部分手机中。

飞兆半导体：解决方案助您成功！

价格：订购1,000个

FDMA910PZ：          每个0.36美元

FDME910PZT： 每个0.33美元

供货: 按请求提供样品

交货期: 收到订单后8至12周内

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飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) － 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息，请访问网站：www.fairchildsemi.com。