德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET 可实现业界较低电阻

2015年01月22日14:55:47 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件

日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界较低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计，敬请访问：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。

CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的较大导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的较大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行了解。

TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用，从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套使用。阅读《稳健可靠的热插拔设计》，可进一步了解如何将一个晶体管选用为传输元件，以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。

如下是TI 推出具有业界较低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。

新型 NexFET 产品及主要特点

供货情况、封装和价格

目前，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可通过 TI 及其授权分销商批量采购。

关于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET

TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率计算、网络、工业和电源应用中的能量效率。此类高频、高效率的模拟功率 MOSFET 使得系统设计人员能够运用现有的较先进的DC/DC电源转换解决方案。

获取有关 TI 电源管理产品系列的更多详情：

• 下载NexFET功率MOSFET选择指南。

• 采用TI的WEBENCH电源设计库在线设计一个完整的电源管理系统。

• 通过德州仪器在线支持社区的搜寻解决方案、获取帮助并分享知识。

• 从TI Designs 参考设计库下载电源参考设计。

德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET 可实现业界较低电阻

相关阅读: