RRAM领军者Crossbar正式进军中国存储市场

2016年03月25日08:45:35 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

日前，Crossbar在京举办新闻发布会，宣布正式进军中国市场，并在上海设立新的办事处。公司首席执行官暨联合创始人George Minassian博士、战略营销和业务发展副总裁 Sylvain Dubois和技术副总裁Sundar Narayanan博士出席发布会，与媒体共同见证了Crossbar这一时刻，并介绍了Crossbar及其RRAM技术，展望了存储市场的美好前景。

George Minassian博士首先介绍了存储市场的情况，中国在全球IC半导体制造业占约40%的份额，中国每年消费29%的NAND（66.7亿美元），22%的DRAM（12亿美元）和约200亿美元的内存（NAND+DRAM）。而Crossbar的目标市场规模约为600亿美元，服务于全球600亿美元及中国200亿美元内存市场。

他认为，随着数据爆炸式增长，企业及客户端的存储需求日益增加。传统基于电子的存储面临各种挑战。600亿美元市场有众多商机。

他表示，中国是电子行业发展较快的市场，也是绝大多数产品的制造基地。凭借其在中国深厚的风投实力和资源、新成立的本地办事处以及行业领先的技术，他相信将在中国消费电子、企业、移动、工业和物联网等市场掀起新一轮电子创新浪潮。此外，Crossbar近期与中芯国际已达成合作，将其嵌入式技术用于中芯国际40nm甚至更高工艺，有望使新的应用开发受益。

Minassian博士还说：“物联网和可穿戴设备市场需要节能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技术能提供片上编程和数据存储的嵌入式内存模块，也可单独作为EEPROM内存，将是满足这些需求的理想解决方案。”

开启可穿戴和智能设备新纪元

据George Minassian博士介绍，Crossbar的3D交叉点阵结构是一种全新的方式，没有存储晶体管内建选择器，简单的3层金属纳米丝，具有储存时间、耐久性和可靠性的优势。首先是高集成度，在单一芯片上集成计算和存储，从40nmCMOS制造工艺做起；其次是使用寿命，与外设NVM相比，功耗低50倍；第三是用户界面响应，可快速唤醒、应用转换和媒体文件预览。它在单一芯片上实现了高集成度的计算和存储，促生新一代产品规格和使用模式。对于企业存储来说，3D交叉点阵结构超快速，比NAND低100倍的读取延滞；低延滞，比NAND的功耗低20倍；高密度，可扩展至低于10nm 3D可堆叠和MLC，比NAND的成本低2倍；高可靠性，高1,000倍的耐久性，10年使用寿命，支持高温环境（150℃）。

通过集成更大的片上非易失性阻变式存储器（RRAM）到智能卡、机顶盒、IP相机和监视器等一系列应用，Crossbar的客户现正设计并推出低功耗、高安全性的解决方案。

应用领域十分广泛

据介绍，Crossbar技术首先由中国出生的卢伟（Dr. Wei D. Lu）博士研发，他也是Crossbar的首席科学家和联合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位，以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在RRAM领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。

CrossbarRRAM技术被广泛视为极有可能取代当前非易失性内存技术的有力竞争者，从而赢得这一价值600亿美元的全球市场。Crossbar技术可在一个200平方毫米的芯片上存储数个TB的数据，能够将海量信息，例如250小时的高清电影，存储在比邮票还小的集成电路上，并进行回放。凭借简单的三层结构，堆叠性和CMOS兼容性，Crossbar能在较新的技术节点下将逻辑和存储集成到单芯片上，实现传统或其他非易失性内存技术无可比拟的存储容量。Crossbar拥有大容量和快速的优势，并将成为下一代企业和数据中心存储系统的理想选择。

Crossbar技术的应用领域包括：消费电子、手机、平板电脑—将你所有个人娱乐、数据、照片和信息存储到口袋大小的设备中，提供快速存储，回放，备份和归档；企业存储、SSD和云计算—拓展SSD的可靠性和容量，提升企业、数据中心和云存储系统的性能；物联网、工业互联网—为工业和连接应用程序，诸如智能电表和恒温器提供长达数年的电池寿命，拥有较大温度范围，使其能在极端炎热的夏天和寒冷的冬天保持稳定，支持全新、高集成的SoC，可由纽扣电池供电或通过太阳能、热能以及简单震动获取电能；可穿戴计算，支持新一代可穿戴计算，能在非常紧凑的尺寸和低功耗情况下，实现高容量存储；安全支付，能够永久存储安全应用所需的密码和加密密钥，覆盖从大容量智能卡，到用于非接触支付的高端移动处理器。

此前，中芯国际已与Crossbar达成开发与制造战略合作协议，基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺，提供阻变式存储器组件。这将有助于客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。

RRAM领军者Crossbar正式进军中国存储市场

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