IBM技术联盟共同发开低功率28nm工艺技术

    尽管IC市场低迷，但硅代工市场正在回暖，IBM近日宣布其技术联盟将共同开发28纳米、采用high-k金属闸（HKMG）及CMOS影像感测技术的制程技术，预计在2010年下半年进入早期试产。

    IBM技术联盟的成员包括三星、AMD独立的晶圆代工厂GlobalFoundries，以及特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing、Infineon与意法半导体（STMicroelectronics）等，先前该联盟便曾共同开发32纳米制程技术。

    IBM说明，低耗电的28纳米技术平台拥有功率性能与上市时机的优势，适用于各种具节能需求的移动及消费电子装置，包含快速成长的行动网络装置市场，而HKMG的特性则让新一代的行动产品得有较佳化的电池寿命。

    该联盟已于2008年12月发布28纳米省电技术评估套件给早期使用客户，并于2009年3月开放存取，预计在明年下半年进入早期试产。

    IBM表示，透过先前与客户合作32纳米省电技术的经验，该联盟已拥有HKMG技术的宝贵经验，而且可提供自32纳米转移到28纳米技术的途径，因此客户可以开始设计他们的32纳米HKMG技术，而且不需要大规模的重新设计就能转移到28纳米。

    在与早期使用客户的测试中IBM发现，28纳米技术平台除了芯片大小只有比45纳米技术的一半外，亦提升了40%的效能并降低20%的电力损耗。

    ST-Ericsson技术长Jorgen Lantto认为，从32纳米HKMG技术到28纳米是一个很重要的进步，手机产业可利用28纳米的省电技术迎合市场对效能及电池寿命的需求。

    在全球芯片技术市场上，英特尔计划在今年下半年推出首款32纳米芯片，并预计于2011年转移到22纳米制程。

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