台积电扩充研发设计核心部门

台积电首场技术论坛率先在旧金山举行，台积电总执行长蔡力行以投资未来「Invest to the Future」为题表示，尽管目前确实看到客户急单需求，但未来依然充满挑战，台积电抱以谨慎乐观态度。台积电指出，在此时前景混沌未明之际，将逆势扩增核心部门，研发团队将扩充30%人力、设计服务部门也将再增15%员额。台积电近来确实已经透过内部网站大举扩充研发与设计专才。

不论研发或是设计服务部门，都是台积电延续往22纳米制程技术前进必要的核心领域，台积电40纳米制程已进入量产阶段，32纳米与28纳米制程可能在2009年底进入试产阶段，而22纳米制程则处于早期研发阶段，较快可能2011~2012年才成真，而针对22纳米制程台积电已经与设备商共同研发多重电子束(Multiple e-beam)曝光技术，并移入台积电研发厂区。

蔡力行表示，台积电投资研发的决心不会改变，事实上包括核心部门的研发团队、设计服务部门都将逆势扩增人力，以目前台积电研发约1,200人看来，未来还将大举扩充30%人力；而在替客户设计服务方面，目前已经从2008年增加至600人，未来还将续增15%人力。事实上，台积电内部网站近日已积极向外征才，在多数半导体厂商裁员的情况下，逆势吸引、挑选人才的动作引起业界注目。

事实上目前半导体产业尚未见到整体复苏情况，许多半导体业者包括IC设计、IC设备、自动化设计平台(EDA)业者都大举裁员，正让台积电可以吸收这批专才，为台积电所选用。台积电日前针对生产线瘦身，这回再次征才针对研发与设计部门，一减一增之间已达到某种程度的组织结构重整目的。

此外，台积电也展现在利基型生产制程的企图心，包括推出类比混讯设计套件(design kits)采用先进的65纳米制程；以成熟制程的0.11微米半世代制程投入未来200万、500万甚至800万画素CMOS感测元件；而在6月台积电的12寸厂也将正式提供矽穿孔(TSV)封测制造服务。如外界所预期的，台积电也正积极扩充40纳米制程设备与产能。

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