IR SmartRectifier IC提升系统效率1.5%

2009年05月04日12:54:17 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其SmartRectifier IC系列，推出为AC-DC功率转换器设计、适用于高端液晶电视的IR1168。

这款200V双智能型二次侧整流器驱动器IC，用于驱动在共振半桥拓扑上作为同步整流器 (SR) 的两个N通道功率MOSFET。与传统的变流器SR方式相比，IR1168能够基于接近零电流转换的MOSFET漏极感应电压准确判断启动或关闭，剔除了额外组件，因而简化了设计。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“与二极管设计相比，同步整流器极大地节约了能源，传统的SR方法不但更为复杂，而且需要更多组件。IR1168仅采用两个门电阻和一个电源电容器，即能降低系统温度和增加功率密度，达到比现有的SR方法更高的效率和可靠性，同时还简化了设计，并大幅减少了组件数目，有助于缩小PCB尺寸。”

IR1168方案与采用IR较新沟道硅和封装技术的DirectFET MOSFET进行了协同设计，使标准240W 液晶电视的SMPS效率提升了1.5%，同时将整流器组件的温度降低了25ºC，电路板体积缩小了三分之二。

IR1168拥有IR独有的高压IC技术，支持成组方式操作，即使在轻负载下仍可带来效率效益。耐用性和无噪声干扰可通过先进的消隐方案和双脉冲抑制来实现，使固定或可变频率应用均能可靠操作。其它主要功能包括较高500kHz切换频率、防跳动逻辑和UVLO保护、4A峰值关闭门驱动电流、微功率启动和超低静态电流、10.7V门驱动钳、70ns关闭传播延迟，以及8.6V至18V的宽泛Vcc操作范围。

产品的基本规格：

SmartRectifier IC

组件编号	封装	电压	较大切换频率 (kHz)	较小Vcc	较大Vcc	输出电流	VGate Clamp (V)
IR1168SPbF	SO-8	200 V	500	8.6 V	18 V	+ 1 A/ -4 A	10.7 V
IR1168STRPbF	SO-8	200 V	500	8.6 V	18 V	+ 1 A/ -4 A	10.7 V

DirectFET MOSFET

组件编号	封装	VBRDSS (V)	在10V下较大RDS(on) (mOhms)	典型Qg (nC)	典型Qgd (nC)
IRF6648	DirectFET MN	60	7.0	36.0	14.0
IRF6646	DirectFET MN	80	9.5	36.0	12.0
IRF6668	DirectFET MZ	80	15.0	22.0	7.8
IRF6644	DirectFET MN	100	13.0	35.0	11.5
IRF6662	DirectFET MZ	100	22.0	22.0	6.8
IRF6645	DirectFET SJ	100	35.0	14.0	4.8
IRF6655	DirectFET SH	100	62.0	8.7	2.8
IRF6643	DirectFET MZ	150	34.5	39.0	11.0
IRF6641	DirectFET MZ	200	59.9	34.0	9.5

标准MOSFET

组件编号	封装	V_(br)dss	R_DS(on)
IRFB3206PbF	TO-220	60V	3mOhm
IRFB3306PbF	TO-220	60V	4.2mOhm
IRF7855PbF	SO-8	60V	9.4mOhm
IRFB3307PbF	TO-220	75V	6.3mOhm
IRFB3507PbF	TO-220	75V	8.8mOhm
IRF7854PbF	SO-8	80V	13.4mOhm
IRFB4110PbF	TO-220	100V	6.3mOhm
IRFB4310PbF	TO-220	100V	7mOhm
IRFB4410PbF	TO-220	100V	10mOhm
IRFB4610PbF	TO-220	100V	14mOhm
IRF7853PbF	SO-8	100V	18mOhm
IRFB4227PbF	TO-220	200V	26mOhm

产品详细数据可浏览IR网站：www.irf.com。

IR1168SPbF采用8引脚型SOIC封装，并且已接受批量订单。新组件不含铅，亦符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

IR SmartRectifier IC提升系统效率1.5%

DirectFET MOSFET

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