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IR推出增强型25V及30V MOSFET

2009年05月18日09:39:56 本网站 我要评论(2)字号：T | T | T
关键字：应用 半导体 

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。

新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。

IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装，可比 SO-8封装提供更高的功率密度，同时保持相同的引脚排列配置。新型双 SO-8 MOSFET 还可通过‘二合一’交换来减少元件数目，满足不同应用的要求。”

单双 N通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外，单个 N通道器件也可在高量产时实现优化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装，而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，可以不含卤素。

产品的基本规格如下：

单个 N通道

器件编号

Bvdss

 (V) 

封装

在10Vgs下的

较大RDS(on) (mΩ)

在4.5Vgs下的

较大RDS(on) (mΩ)

在TC=25°C 下的Id (A)

在TA =25°C 下的Id (A)

典型Qg

(nC)

IRL(R,U)8256(TR)PBF

25

D-Pak/I-PAK

5.7

8.5

81

N/A

10

IRL(R,U)8259(TR)PBF

25

D-Pak/I-PAK

8.7

12.9

57

N/A

6.8

IRF8252(TR)PBF

25

SO-8

2.7

3.7

N/A

25

35

IRL(R,U)8743(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

3.1

3.9

160

N/A

39

IRL(R,U)8726(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

5.8

8.0

86

N/A

15

IRL(R,U)8721(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

8.4

11.8

65

N/A

8.5

IRL(R,U)8729(TR)PBF

30

D-Pak/I-PAK

8.9

11.9

58

N/A

10

IRFH3702(TR,TR2)PBF

30

PQFN 3 x 3

7.1

11.8

N/A

16

9.6

IRFH3707(TR,TR2)PBF

30

PQFN 3 x 3

12.4

17.9

N/A

12

5.4

IRFH7932(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

3.3

3.9

N/A

24

34

IRFH7934(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

3.5

5.1

N/A

24

20

IRFH7936(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

4.8

6.8

N/A

20

17

IRFH7921(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

8.5

12.5

N/A

15

9.3

IRFH7914(TR,TR2)PBF

30

PQFN 5 x 6

8.7

13

N/A

15

8.3

IRF8788(TR)PBF

30

SO-8

2.8

3.8

N/A

24

44

IRF7862(TR)PBF

30

SO-8

3.7

4.5

N/A

21

30

IRF8734(TR)PBF

30

SO-8

3.5

5.1

N/A

21

20

IRF8736(TR)PBF

30

SO-8

4.8

6.8

N/A

18

17

IRF8721(TR)PBF

30

SO-8

8.5

12.5

N/A

14

8.3

IRF8714(TR)PBF

30

SO-8

8.7

13

N/A

14

8.1

IRF8707(TR)PBF

30

SO-8

11.9

17.5

N/A

11

6.2

N/A = 不适用

双 N通道

器件编号

封装

配置

Bvdss

 (V) 

在10Vgs下 的

较大RDS(on) (mΩ)

较大Vgs (V) 

典型Qg

(nC)

IRF8313PBF

SO-8

独立

对称

30

15.5

± 20

6.0

IRF8513PBF

SO-8

半桥

非对称

30

12.7

± 20

7.6

15.5

5.7

新器件现已开始供应。产品详细数据可以浏览IR网页www.irf.com。

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