您好,欢迎光临电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
当前位置:电子应用网 > 新闻中心 > 正文

智能科技 卓越能效

2009年06月25日10:37:24 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T
关键字:应用 半导体 电源 计算机 

——英飞凌高性能功率晶体管深圳CPSS全球首发

6月19日至21日,2009年第十五届中国国际电源展览会暨第十三届中国变频器及电子变压器展览会在深圳会展中心举行。英飞凌全面参展并在此次展会上全球首发其较新的高性能功率晶体管CoolMOS C6。此外,英飞凌还将同时推出了第三代SiC二极管和全面完善OptiMOS 3家族的75V、120V和150V产品。

英飞凌在展会期间举行了媒体见面会。英飞凌科技奥地利有限公司全球开关电源高级市场经理Thomas Schmidt先生重点介绍了这些较新发布的产品和相关解决方案,并就大家关心的业界技术热点和市场趋势等与媒体进行了交流。

适用于高能效电源转换的OptiMOS™ MOSFET

Thomas Schmidt先生介绍新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列时表示,这个产品系列具备业内领先的导通电阻(RDS(on))和品质因素特性,可在任何负载条件下,降低开关模式电源(SMPS)、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。

该MOSFET系列是交流/直流开关模式电源(譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源)的同步整流的理想选择。电脑产业拯救气候行动计划发起的80PLUS® Gold金牌认证规定的新能效目标,要求在美国能源之星计划当前的要求基础上再使计算机的能效提高约10%。英飞凌此次新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET可以帮助满足这些规范,采用节省空间的SuperSO8封装,相对于同类器件而言,导通电阻和品质因素分别降低40%和34%,结果可使SMPS的同步整流级的功率损耗降低高达10%。

他指出:“为客户提供多种改进能效的解决方案,多年来一直是英飞凌的核心战略之一。如今我们已成为全球公认的功率半导体器件领先供应商。归功于技术领导地位、经过验证的产品质量、稳定的供货和客户大力支持等因素,我们一直是主要OEM和ODM客户的较佳供应商,对此我们颇感自豪。”

全新推出的OptiMOS™ 3 75V系列,进一步壮大了英飞凌功率MOSFET产品的阵容。目前,采用英飞凌N沟道OptiMOS™ 3工艺制造的器件型号已接近100个,每款都具备业界较低的导通电阻、极低的栅极电荷,降低产品的导通损耗和整体功耗。例如,OptiMOS™ 3 80V系列已成为电源同步整流的行业标准。全新MOSFET系列相对于80V系列而言,功率损耗降低10%,确保客户达到更加严格的能效要求。

导通电阻较低温度系数[<0.7%/°K]等特性,确保在温度升高时,实现极低的导通损耗。更低的功率损耗消除了多器件并联需求,并允许采用较小的散热器,从而降低了系统成本。

英飞凌OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET还有助于客户设计出更加紧凑的电源。例如,采用SuperSO8封装的器件可用于代替同等功率密度的D²PAK器件。这可使占板空间、垂直高度和封装宽度分别降低60%、77%(从4.44毫米降至1毫米)和50%左右(从10.1毫米降至5.15毫米)。

兼具超结技术和传统高压器件优势的CoolMOS MOSFET

新推出的下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS™ C6系列,有助于PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率的大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99毫欧)在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

C6系列是英飞凌推出的第五代CoolMOS™金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。CoolMOS™ C3是一个应用非常广泛的产品系列,而CP系列可满足需要较高开关速度和较低导通电阻的各种专门应用的需求。

较新推出的600V CoolMOS™ C6器件,融合了CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP两个产品系列的优势。例如,电源厂商可受益于超结CP系列的优势——包括极低电容损耗和极低单位面积导通电阻等,设计出更高效、更紧凑、更轻更凉的电源产品。与此同时,开关控制性能和抗电路板寄生电感和电容特性性能也得到大幅提升。相对于CP系列的设计而言,CoolMOS™ C6简化了PCB系统布局。具体而言,这意味着在CoolMOS™ C6系列内,栅极电荷、电压/电流斜率和内部栅极电阻达到了优化和谐状态,即使低至零欧姆的栅极电阻,也不会产生过高的电压或电流斜率。此外,C6器件具备出色的体二极管硬换流抗受能力,因此可避免使用昂贵的快速体二极管组件。

CoolMOS™ C6器件可降低设计难度,非常适用于各种高能效应用,例如面向个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明(高压气体放电灯)产品以及电视机(液晶或等离子电视机)和游戏机等消费电子产品的电源或适配器。英飞凌的新一代功率半导体产品,能够让客户开发出符合当今能效要求和政府法规的高度可靠的终端产品。

网友评论:已有2条评论 点击查看
登录 (请登录发言,并遵守相关规定)
如果您对新闻频道有任何意见或建议,请到交流平台反馈。【反馈意见】
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-2 京公网安备110105003345号