Vishay Siliconix推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件 --- Si7145DP，将10V、4.5V栅极驱动下的较大导通电阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。凭借这些性能规格，新的Vishay Siliconix Si7145DP--第三代TrenchFET P沟道家族的较新成员--实现了在这个电压等级和占位下较低的导通电阻。

Si7145DP采用PowerPAK^® SO-8封装，可用作适配器开关，以及笔记本电脑和工业及通用系统中的负载切换应用。器件的低导通电阻意味着更低的传导损耗，使Si7145DP能够更好地节约电能，延长充电间隔之间的电池寿命。这个特性在适配器开关中尤其重要(在适配器、墙上电源或电池电源之间切换)，因为适配器开关是一直导通并且要汲取电流。

而竞争对手较好的采用SO-8占位的30V P沟道器件，在10V和4.5V电压下的较大导通电阻分别为3.1mΩ和4.3mΩ，比Si7145DP高16%和13%。

Vishay Siliconix是业内第一家引入Trench功率MOSFET的供应商。该公司的TrenchFET知识产权包括众多专利，包括可追溯自20世纪80年代早期的基础技术专利。每一代新TrenchFET技术都会将计算、通信、消费电子和许多其他应用中功率MOSFET的性能提升到一个新的等级。

器件完全通过了Rg和UIS测试，并且不含卤素。

Vishay在2009年还将发布多款第三代P沟道TrenchFET功率MOSFET，提供更多的电压等级范围和更多的封装选项。更多信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

Si7145DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为10至12周。

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