Diodes新型双MOSFET组合式器件节省空间却无损性能

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。比方说，SO8充分发挥了节省空间的功能，其占位面积只有31 mm²，仅为两个SOT223 MOSFET的30%。”

较新双器件封装内的N与P通道MOSFET，可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷，典型导通电阻 (R_DS(ON)) 分别为230mΩ 和235mΩ，确保开关及导通损耗保持在较低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。

相关阅读:

• ...2018/09/05 13:58·如何解决5G时代的焦虑 较新版的ADI RadioVerse能给你答案
• ...2018/02/27 10:32·英飞凌收购Merus Audio公司：为智慧家居应用带来更佳音频体验
• ...2017/06/15 09:41·ADI公司扩充RadioVerse™无线技术和设计生态系统，为4G到5G迁移奠定基础
• ...2016/12/06 10:29·Diodes 公司低待机功耗模式的恒流 DC-DC LED 驱动器提供高达40W 输出功率
• ...2016/11/09 10:28·赛普拉斯发布业内较全面的一站式交钥匙开发平台WICED Studio 4，可简化物联网设计
• ...2016/10/01 09:00·Silicon Labs更快速易用的Simplicity Studio软件 为无线IoT设计确立新标杆