三洋半导体上市新型双极晶体管，“封装面积减小80％、耗电量降低55％”

    三洋半导体于2009年7月17日上市了与该公司原产品相比封装面积减小80％、耗电量降低55％的双极晶体管“ECH系列”（图1、2）。封装面积为2.9mm×2.8mm。在该尺寸的产品中，“耗电量业界较低”（该公司）。主要面向便携产品、平板显示器和太阳能电池等的电流电路。

图1：三洋半导体开发的双极晶体管的新产品（右）和原产品（左）

图2：新产品（右）和原产品（左）的发热比较

图3：“夹焊(Clip Bonding)”方式的概要

图4：“MBIT-W”工艺的概要

　　为了降低耗电量，该公司分别改进了封装和芯片。封装方面，采用了通过铜引线连接的“夹焊(Clip Bonding)”而非线焊（Wire Bonding），从而将外形电阻减少了80％（图3）。芯片方面，采用了三洋半导体自主开发的技术——基于双层电极构造的“MBIT-W（Multi-Base Island Transistor -Wireless）”工艺，扩大了芯片的有效工作范围（图4）。

　　此次上市的产品包括NPN型的“ECH8201”和“ECH8202”以及PNP型的“ECH8101”和“ECH8102”。ECH8201的耐压（集电极与发射极间的较大电压）为＋50V，较大集电极电流为10A。ECH8202的耐压为＋30V，较大集电极电流为12A。容许损耗为1.6W。此外，还备有与MOS FET一体化的“ECH8901”。

　　所有产品均从2009年7月开始样品供货。样品价格较低为50日元。预定从2009年8月开始量产，月产100万个。

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