飞兆半导体采用 Power 56封装的30V MOSFET器件率先突破1mOhm较大RDS(ON)障碍

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款R_DS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封装，型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET，为服务器中心 (server farm) 在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封装以突破1 mOhm 障碍的MOSFET器件，较大R_DS(ON) 仅为0.99 mOhm，能够减少传导损耗，提高应用的总体效率。例如，与一个使用2.0 mOhm MOSFET的典型应用相比，这款30V MOSFET便能够以一半的FET数目，提供相同的总体R_DS(ON)。

FDMS7650 采用飞兆半导体性能先进的 PowerTrench^® MOSFET 技术，提供具突破性的R_DS(ON) 。这项技术拥有出色的低 R_DS(ON)、总体栅极电荷(Q_G) 和米勒电荷 (Q_GD) ，能较大限度地减少传导和开关损耗，从而带来更高的效率。

这款功率MOSFET器件是飞兆半导体众多 MOSFET 器件之一，为功率设计提供了卓越的优势。这个系列的其它出色产品还有飞兆半导体的30V双N沟道MOSFET器件 FDMC8200和FDMS9600，FDMC8200通常具有24 mOhm 的高侧R_DS(ON) ，以及9.5 mOhm的低侧R_DS(ON) ，有效提高了 DC-DC 应用的效率。FDMS9600 则通过降低高侧 MOSFET 的开关损耗，以及低侧 MOSFET的传导损耗，为同步降压应用提供较佳的功率级。

价格(订购1,000个，每个)： 0.95美元

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