IBM 32nm eDRAM拥有更低的延时循环时间

IBM Corp.半导体研发中心（SRDC,纽约East Fishkill）采用了32nm绝缘体上硅（silicon-on-insulator,SOI）技术制作了一个16Mb的嵌入式DRAM (eDRAM)测试芯片。这款eDRAM拥有低于2ns的存取时间，与业内其他32nm嵌入式SRAM技术相比，存储密度是其4倍。

IBM将在即将到来的IEDM上详细介绍其32nm eDRAM

eDRAM与逻辑晶体管全兼容，且逻辑性能不会退化。它采用了深沟槽电容结构，结合了高k介质和金属内衬电容器技术。IBM将在12月7-9号在Baltimore举行的国际电子器件会议（IEDM）上详细介绍其32nm eDRAM。

IBM SRDC副总裁Gary Patton表示，SOI eDRAM延时和循环时间低于2ns，功耗比SRAM低4倍，软错误（soft-error）率更是降低了1000倍，相比熟悉的SRAM，它更节能、更可靠。

除了将SOI eDRAM用于该款产品中，IBM也正在将其提供给较早授权的晶圆代工客户。IBM正与ARM的设计部门合作，将其纳入他们的32nm库中；目前初始化的32nm ARM库已经可以获取。IBM说，他们正在与ARM一起开发22nm SOI技术，“这使得ARM能较早地获得这项技术。”

IBM声称，eDRAM单元的存储密度是此前他们发布的任何22nm嵌入式SRAM单元的两倍——包括IBM在2008年8月发布的号称全球较小的22nm SRAM。

“我们正在将这项32nm技术授权给客户，”Patton说，并补充说，它将标志着“通往22nm SOI技术的明显进步”。除了服务器，这款eDRAM还将针对打印机、存储器和网络应用，以及低功耗的车载、消费和游戏系统。

Power 7 的L3缓存

IBM发言人Jeff Couture表示，IBM正在将eDRAM用于其45nm Power 7服务器处理器中。在去年八月于加州Palo Alto举行的Hot Chips会议上，IBM已经讨论了其MPU旗舰产品Power 7。每个芯片达到了8核，每个核执行32 gigaflop（每秒 10 亿次浮点运算），它由SRAM存取，板上eDRAM作为L3高速缓存。

Insight 64 (加州Saratoga)的微处理器分析师Nathan Brookwood表示，在IBM奥斯汀实验室（德州Austin）有很多Power 7服务器。Power 7服务器预计在明年开始发货，而高端Power 595服务器则采用了64个处理器。

Power 7核的板上有32Mb的L3缓存，这是SOI eDRAM的第一次嵌入使用。Brookwood说，如此大的L3缓存使得许多应用能够完全在芯片上运行，而没有离开芯片运行而带来的总线延迟。“任何时候你都可以将缓存密度提高4倍，而无需增加面积，这是一个极其巨大的优势。同时，当从45nm转入32nm时，你还可以假想他们能够将缓存容量提高一倍，”他说。

随着MPU进入多核架构，大的缓存变得更加重要，保持缓存连贯性将是个极大的挑战。

eDRAM正好是较新的例子，Brookwood说，IBM在改进技术上令人赞叹的成果带来了Power MPU系列。“在过去的八年内，曾经发布了Power 4，IBM就像时钟一样不断前行，我很期待明年的Power 7的发布。”

GlobalFoundries也将SOI eDRAM技术纳入了其线路图中，目前的问题是AMD将何时把这项技术引入其处理器中。

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