ARM和IBM将合作开发32nm和28nm工艺SoC

关键字：半导体 可靠性 

据日经BP社报道，英国ARM于2008年10月21日在东京举行新闻发布会，与美国IBM等共同介绍了32nm、28nm工艺SoC（系统芯片）设计平台的合作开发详细内容。

共同开发的具体内容是：两公司将面向IBM、新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing）和韩国三星电子采用的Bulk CMOS通用制造平台“Common Platform”，共同开发对于32nm、28nm工艺技术来说为较优化的物理IP（标准单元和Memory Generator等）。

ARM此前也推出过支持Common Platform的物理IP。包括90nm工艺、65nm工艺和45nm工艺的物理IP。不过此前是在确定工艺技术的细节之后，把通用物理IP合并到该工艺中得到的。

而在此次面向32nm、28nm工艺的合作中，需要在工艺技术开发的同时，进行物理IP的布局（Layout）优化工作等。这样，可充分发挥出制造工艺的实力，提高质量和可靠性。

32nm的量产将从2009年底之后开始

针对商用物理IP的专用化，ARM的物理IP业务的竞争者——美国Virag

e Logic也同时在美国做了技术发布。对此，此次新闻发布会上ARM的Thomas R. Lantzsch（物理IP市场营销副总裁）表示，这是“水平分工的半导体产业开始统合”的一个环节。

出席此次新闻发布会的IBM的R（Jaga) Jagannathan（32nm、65nm技术开发部门经理）介绍了采用通用平台的32nm工艺等。此项技术采用high-k栅极绝缘膜和金属栅极。通过使用high-k材料和金属栅极，性能提高了35％左右，耗电量约降低约50％。

R（Jaga) Jagannathan同时表示，采用该工艺的试制芯片Shuttle Service将从2008年第3季度开始。另外他还表示，已采用IBM的32nm低耗电工艺试制出了ARM处理器内核“Cortex-M3”。该试制芯片名为“Cassini”。基于通用平台的32nm工艺量产将从2009年年底开始。