内部电感仅为15nH的IGBT模块

2009年11月25日13:17:29 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

关键字：应用

除了现有采用英飞凌IGBT芯片的SEMITRANS模块，SEMITRANS模块现还可以选择使用阻断电压为1200V的富士V-IGBT芯片。新的V-IGBT有三种不同的模块尺寸，8种不同的功率等级和3种开关拓扑。这些模块的额定电流为150A至600A。SEMITRANS 3和4模块是超低电感模块，模块电感仅为15nH。IGBT 5000A/µs的典型开关速度会带来75V的模块过电压。相比之下，竞争对手产品的平均模块过电压在90V至125V之间。模块为单开关、半桥或斩波器拓扑结构，专门用于工业驱动器中或任何其他给定应用领域的变频器。

标准SEMITRANS模块拥有4000V/min的高绝缘强度，比2500V/Min的全球绝缘强度规范高60%，凸显SEMITRANS模块的优秀品质。除了具有IGBT2、IGBT2快速、IGBT3或IGBT4技术特点的1200V模块，这些模块还有600和1700V的两种阻断电压可供选择。

现有三种标准SEMITRANS外壳尺寸，34mm宽的SEMITRANS 2和62mm宽的SEMITRANS 3和4模块。也提供用于非标准客户应用的额外尺寸，例如，带有6脉冲逆变桥电路的SEMITRANS 6，具有用于三电平逆变器以及电流监控电路的SEMITRANS 5，这些是通过将分流器集成到模块中实现的。SEMITRANS 9是为铁路应用而开发的，可以提供高达9kV的绝缘强度。 SEMITRANS模块均采用铜基板。

图：模块电感仅为15nH的SEMITRANS IGBT模块。这些模块现在可选择使用富士第5代V-IGBT技术替代IGBT4芯片。