英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。

作为目前应用的较小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显著减小芯片的尺寸。

这两家公司称，这种新的生成工艺能够在一个只有167平方毫米（能够穿过CD光盘中间的圆孔）的比1便士硬币还小的单个NAND芯片上制作8GB的存储容量。由于这是一种通用的闪存芯片，它可以用于任何需要闪存存储的设备上，如数码相机、MP3播放机和固态硬盘。

Objective Analysis在研究报告中说，由于芯片的尺寸是167平方毫米，一个300毫米加工厂每个晶圆能够生产出400多个芯片。这将使生产成本达到每个芯片大约4美元，或者每GB存储容量0.50美元。由于2009年NAND闪存的价格一直是每GB大约2.00美元，并且似乎在2010年将继续保持这个价格，25纳米生产工艺将给这两家公司带来比目前的34纳米工艺更高的毛利润率。目前34纳米芯片的成本预计是每GB存储容量1.00美元。

美光科内存事业部技副总裁Brian Shirley上周四解释25纳米芯片技术时说，如果人类的一根头发是1英里宽，25纳米技术就相当于21英寸。

这种新的闪存技术大约是容量较大的34纳米芯片密度的一倍，但是使用的芯片是一样大的。这种25纳米芯片支持开放NAND闪存接口2.2标准，吞吐量为每秒200MB。

这种25纳米芯片将由英特尔和美光科技在2006年创建的合资企业IM Flash Technologies生产。这个合作企业在创建时是使用的50纳米生产工艺，现在是第三次减小生产工艺尺寸。

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