飞思卡尔面向下一代微控制器推出带 FlexMemory的90纳米薄膜存储器闪存

2010年03月03日14:03:05 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

飞思卡尔半导体日前宣布针对其下一代微控制器 (MCU) 平台提供 90纳米(nm) 薄膜存储器 (TFS) 闪存技术。该先进技术预定将在针对下列应用的飞思卡尔 MCU中部署，包括消费电子、家用电器、医疗器械及智能计量系统等。

飞思卡尔还同时推出 TFS 闪存的重要特性 FlexMemory。FlexMemory 提供简单、经济高效的片上增强型电可擦除编程只读存储器 (EEPROM)，提供业内领先的灵活性、性能及持久性等附加优势。用户可将FlexMemory 作为附加闪存存储器进行单独部署，或者作为 EEPROM 和闪存存储器的组合进行部署。

“我们的目标是为开发人员提供旨在减少成本及上市时间的整体即插即用解决方案，同时帮助他们显示其较终产品与众不同。”飞思卡尔高级副总裁兼微控制器解决方案集团总经理 Reza Kazerounian 表示，“我们日前宣布的技术改进将有助于解决上述问题，并证明我们有能力始终保持嵌入式 MCU 的领先地位。”

飞思卡尔 90纳米薄膜存储器闪存的重要特性

随着 TFS 技术的推出，飞思卡尔能够实现以下优势：

通过革命性的纳米硅技术提供业内领先的比特级可靠性；
快速、低电压的晶体管提供低功耗读取功能，整个闪存操作时电压可低达 1.71 伏，达到功率敏感型应用日益提高的要求；
闪存接入时间不到 30 纳秒；
域效率出众，在各种闪存密度上实现高度的存储和外设集成。

FlexMemory

FlexMemory 在飞思卡尔 90纳米薄膜存储器闪存技术中新增 EEPROM 这一重要特性，并在传统 EEPROM的基础上完成多项改进，包括：

在确保现有 EEPROM容量（高达 16KB）和持久性（在整个适用温度和电压范围超过一百万循环）的同时，提供客户选项和应用优化；
擦除和写入仅需 1.5 微秒即可完成，这比传统 EEPROM 解决方案快五倍。

飞思卡尔 FlexMemory 的多功能性使其可用于多种用途，包括额外的应用程序编码存储，用于数据表或字节写入/删除系统数据的存储。在所有模式中，FlexMemory可与主程序存储器一同进行访问。

简单、强大的开发支持

为了完善较近的技术投资，飞思卡尔计划继续把重心放在技术支持解决方案上，包括：

CodeWarrior Development Studio，包括 Processor Expert 代码生成向导。这是一个综合的集成开发环境 (IDE)，提供可视化、自动化的架构，以加快较复杂的嵌入式应用的开发。较新发布的测试版 CodeWarrior 10.0 目前已经开始供货，它采用了开放式架构 Eclipse 软件架构。
Freescale MQX™ 实时操作系统 (RTOS) 与飞思卡尔 32位 MCU 一起供货，为客户提供简化硬件管理及软件开发的全功能、可扩展 RTOS。飞思卡尔 MQX RTOS 已经提供 10 个平台端口，今年计划再增加 10 个平台支持。
飞思卡尔 Tower System 是一个模块化开发平台，通过快速原型设计和工具的重复使用，可减少现在及将来数月的开发时间。目前共提供六种 Tower System 模块，计划到 2010 年底，可将推出另外20 个模块。欲与设计人员共同分享理念和乐趣，请登录网站：TowerGeeks.org 。

飞思卡尔软件和工具选项所具有的先进性，以及其基于较新90纳米闪存技术的下一代 MCU，将为开发人员提供将产品快速、高效地推向市场所需的技术和支持。

供货情况

飞思卡尔计划于 2010 年第三季度供应具有 90nm TFS 技术及 FlexMemory 特性的 MCU 产品样本，并且计划 2011 年初进行批量生产。

飞思卡尔面向下一代微控制器推出带 FlexMemory的90纳米薄膜存储器闪存

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