Vishay发布2010年的“Super 12”高性能产品

2010年03月25日10:43:36 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出2010年的"Super 12"高性能产品。这些系列器件具有业内领先的标准，如容值电压、电流等级和导通电阻。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/进行展示，是很多关键应用的理想选择，也是Vishay广泛的产品线组合的典型代表产品。

2010年将要发布的Super 12产品是：

597D和T97多模钽电容：对于+28V应用，工业级的597D和Hi-Rel COTS T97D系列是业内首批75V额定电压的钽电容。这些器件具有业内较高的容值-电压，从4V电压的1500μF到75V电压的15μF，可节省PCB空间，同时低至15mΩ的超低ESR提高了设计效率。
MKP 1848聚丙烯薄膜电容：对于直流应用，MKP 1848电容的额定容值为1μF～400μF，有2个或4个引脚用于PCB安装(MKP 1848)，额定容值为60μF～400μF的器件采用总线条，用于直接IGBT安装(MKP 1848 PCP)。
IHLP?-6767功率电感：IHLP-6767器件是目前额定电流较高的SMD功率电感。器件的尺寸为4.0mm x 7.0mm，电流可达100A，感值为100μH，还具有优异的温度稳定性。
WSMS和WSBS高功率分流电阻：WSMS功率计分流电阻和WSBS车用电池分流电阻具有50μΩ～500μΩ的极低阻值，2908、3124和5515外形尺寸电阻的功率为3W，8518尺寸的功率达36W。器件的全焊接结构使器件可以在大于400A的连续电流下工作。
LPS平板厚膜电阻：LPS系列采用紧凑的57mm x 60mm的外形尺寸，功率耗散达800W，重量为83g。器件的绝缘强度达12kVRMS，阻值范围为0.3Ω～900kΩ。
无磁MLCC：这些MLCC电容采用无磁材料制造，采用多种组装方式，包括导电树脂和红外回流焊组装。器件具有各种尺寸、电压等级和容值，采用了贵金属和湿法制造工艺，以达到高可靠性。
第三代TrenchFET? P沟道MOSFET：这种较新一代的P沟道硅技术使器件实现了业内较佳的导通电阻标准，如采用PowerPAK? SO-8封装的导通电阻为1.9mΩ。第三代TrenchFET P沟道MOSFET的rDS(on)只有市场上较接近器件的一半，用更低的传导损耗实现了更高的效率，使采用电池的应用在两次充电之间的时间更长。这种MOSFET还提供完整的封装选项，包括1.6mm x 1.6mm的PowerPAK SC-75封装。
20A的第5代肖特基二极管20WT04FN：20WT04FN是业界首款采用D-PAK封装的20A、40V二极管。该器件的工作温度可高达+175℃，在20A、+125℃下的较大正向电压降为0.530V，在45V、+125℃下的较大反向漏电流为7mA。
MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTM SMD肖特基势垒整流器：MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高电流密度，在0.4V电压下具有0.35V的超低正向电压降，典型厚度为0.68mm。
VO3120和VO3150A IGBT/MOSFET驱动器：这些2.5A和0.5A的驱动器的供电电压范围为15V～32V，工作温度范围为+40℃～+110℃。
SiC769 DrMOS 6x6：SiC769集成式MOSFET和驱动IC方案具有业内较佳的功率密度，可用于主流的多相Vcore应用。新器件完全符合针对高功率CPU系统中电压调整器(VR)的DrMOS标准，工作频率可达1MHz。
第9代Super JunctionTM FET MOSFET：Vishay的22A、600V Super Junction FET MOSFET具有低至0.19Ω(较大)的导通电阻，改善了导通电阻与栅极电荷的乘积，即优值(FOM)。

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http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010。

Vishay发布2010年的“Super 12”高性能产品

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