嵌入式应用迎来创新机遇
——恒忆嵌入系统事业部亚太区总经理徐宏来解读新系列相变存储器
作为相变存储技术(PCM)的创新者,恒忆(Numonyx)日前宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产,并向市场供货。
恒忆嵌入系统事业部亚太区总经理徐宏来为媒体解读了新系列相变存储器的特点和市场机遇。他表示,这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身,一颗存储器芯片即可实现很多新功能。新产品发布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM,其写入速度有望达到现有闪存的300倍,耐写次数达到10倍。
市场机遇
徐宏来表示,90nm 128Mb P5Q已开始进入高速增长的串行存储器市场;90nm 128Mb P8P开始进入并行存储器市场;到2012年,45nm计划将现有市场总规模扩大到10亿美元以上。下图是iSupply 2009年4季度的对两个市场的调查结果。
徐宏来称:“自闪存于1988年问世至今,业内还从未见过一个如此崭新的高密度存储技术。今天,对于代码存储和执行,以及数据存储应用,设计工程师必须使用不同类型的存储器。现在,随着恒忆的Omneo相变存储器问世,设计人员将获得一个简单的、单一存储器解决方案。”
此次推出的新产品包括支持串行外设接口(SPI)的存储器(Omneo™ P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存储器(Omneo™ P8P PCM)。两种接口产品都充利用新的PCM的技术优势,同时兼容工业标准的串行接口和并行接口。
嵌入式应用系统的较佳选择
Omneo™ P5Q PCM是一款兼容高速SPI接口的90nm相变存储器,集串行NOR闪存和EEPROM两大存储器的技术优点于一身,具有字节修改功能以及更高的写入速度和耐写性能。
新存储器支持字节修改功能,执行写操作无需再擦除大数据区块,从而使数据处理和软件编程变得更容易。覆写即“无擦除”功能让工程师和设计人员能够简化软件开发任务,提升系统性能,将存储器写时间缩短到闪存的三百分之一。新产品Omneo™ P5Q的耐写次数达到100万次,可写数据的量次是闪存的10倍。
Numonyx® P8P PCM是恒忆推出的第二款90nm128Mb并口相变存储器。第一款是在2008年12月推出的,支持10万次的耐写次数。第二款产品将这个参数提高到100万次。现在两款产品均在量产。
恒忆还发布了公司为嵌入式应用相变存储器创建的新品牌:Numonyx® Omneo™ PCM。采用产品专用品牌方法是为了更效地支持公司的产品战略:针对特定的客户应用市场需求,研发量身订制的存储器解决方案。
徐宏来说:“因为相变存储器的特性不同,能够解决不同细分市场的独特难题,所以恒忆决定用差异化的品牌战略宣传新产品的独特性。相变存储器技术带给客户的新功能和优势,我们谋求直接将品牌战略与PCM为实际应用领域带来的价值,以及利用这项技术优势的细分市场紧密联系起来。PCM是一项超乎寻常的存储器技术。”
应用前景不可限量
Omneo™ 品牌代表相变存储器适用于嵌入式设计领域所有应用的内在能力(“omni”)和新一类存储器(“neo”)。从消费电子到工业应用,Omneo系列相变存储器的研制目标是实现嵌入式存储器系统创新的设计方法,提供长远的制程升级能力和产品可靠性。
徐宏来介绍说,随着能源越来越紧缺,电表功能要求越来越高,如分时计费、评估、得分等。在美国家庭,安装了太阳能电池板,白天可以把电能输送到电网,通过这个电表记录下来,晚上用电时只要付所用电网费用,不仅可以输入,还可以输出,这样对电表要求更高,要实时记录信息。现在的电表使用比较大的电池和电容,一旦断电可以把MCU里面信息写入到EEPROM里,然后用一些非挥发性RAM。现在欧美比较多的是铁电材料,因为电表的智能,需要很复杂的执行程序放在SPI模里面,而铁电材料容量有限,而且成本比较高,电表成本相当高。
Numonyx®Omneo™ P8P相变存储器的创新机遇在于可以替代RAM和电池,适用于电信、商业打印机和智能电表应用如果利用P5Q的特点,以及位修改性、读写可靠性就可以提供新的解决方案,不需要电池甚至电容,直接用P5Q材料可以替代整个三种不同类型的存储器,更环保、可靠性更高,又提供大密度容量。因为它可以达到18M,提供更有效的信息和功能,成本也有效降低了。目前中国市场传统电表有5亿个,一旦智能电表被应用,市场将相当广泛。
徐宏来较后表示,恒亿设计、制造各种并口和串口NOR闪存、NAND闪存、RAM和相变非易失性存储器技术和产品,以满足无线和嵌入式细分市场日益复杂化的存储需求。恒忆致力于为全球客户提供高密度、低功耗存储技术和多片封装解决方案。
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