飞兆半导体150V低RDS(ON) MOSFET在隔离DC-DC应用中实现更高性能

能够提高LED照明、太阳能和工业设计的效率和输出功率

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低R_DS(ON) (较大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (较大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件利用飞兆半导体先进的工艺技术和封装技术，以及系统专有技术，并采用5mm x 6mm MLP封装，具有效率高、功耗较低和散热较少的特性。

FDMS86200使用屏蔽栅极MOSFET技术来设计，具有较低的开关噪声和振铃噪声，有助于降低EMI。如果没有这项专有技术功能，设计人员则需被迫选择一个200V MOSFET器件，从而令到R_DS(ON)增加一倍，导致总体效率降低。飞兆半导体的FDMS86200 还带有经改进的体二极管，能够通过减少损耗来提升开关性能。

飞兆半导体公司提供较广泛的MOSFET产品系列，让设计人员能够选择多种技术，找到满足应用需求的合适MOSFET。飞兆半导体拥有独特的功能、工艺和封装创新及总体系统专有技术之组合，而其MOSFET产品系列具有广泛的击穿电压范围(20V-1000V)，以及从1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封装的先进封装技术，能够推动电子制造商实现更出色的创新。

价格: 订购1,000个，单价为1.92美元

供货: 现提供样品

交货期 ：收到订单后12至15周

编辑注：

产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取：

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飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) － 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息，请访问网站：www.fairchildsemi.com。

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