·意法半导体（ST）推出低损耗1200V IGBT系列产品，降低日用电机驱动器的能耗 (2009/10/19 10:06:36)
全球功率半导体市场的领导者意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出新系列功率晶体管，可较大限度降低电机控制电路的两大能耗源，降低家电、供暖通风空调（HVAC）系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导通损耗很低的绝缘栅双极晶体管（IGBT），...

·凌力尔特推出16 通道 LED 驱动器 LT3754 (2009/9/11 16:37:46)
照片说明：45V、16 通道升压模式 LED 驱动器 2009 年 9 月11 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出16 通道 LED 驱动器 LT3754，该器件采用一个能够驱动高达 45V 的 50mA LED (每个通道) 的升压型 DC...

·飞兆半导体采用 Power 56封装的30V MOSFET器件率先突破1mOhm较大RDS(ON)障碍 (2009/9/4 10:38:16)
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封装，型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET，为服务器...

·飞兆半导体推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS™ (2009/8/27 14:16:44)
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS™新一代600V超级结MOSFET系列产品。包括具有165mΩ较大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ...

·IR推出基准工业级30V MOSFET (2009/8/27 14:15:05)
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的...

·Vishay发布业界导通电阻较低的60V TrenchFET功率MOSFET (2009/8/25 10:05:51)
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用双面冷却、导通电阻较低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封装，在10V栅极驱动下的较大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的较...

·飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET (2009/8/20 14:56:55)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench® 工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界较低RDS(ON) ...

·Vishay Siliconix推出采用TO-220、TO-220F和TO-247封装的新款500V功率MOSFET (2009/7/29 8:23:48)
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸...

·Diodes新型双MOSFET组合式器件节省空间却无损性能 (2009/7/7 8:17:22)
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。 Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：...

·Diodes推出新型MOSFET 半桥器件 (2009/7/1 8:00:54)
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。 Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“ZXMHC 元件为SO8封装，包含两对互补N型和P型MOSFET，可取代四个分立式SOT23封装的MO...