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·具内置开关的大功率受电设备控制器 (2009/6/30 11:04:12)
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3at 兼容的以太网供电 (PoE+) 接口控制器 LTC4269-1、LTC4269-2 和 LTC4278,这些器件具有集成的开关稳压器,面向高达 25.5W 及更高功率的大功率受电设备 (...
·Vishay Siliconix推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件 (2009/6/30 10:00:14)
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件 --- Si7145DP,将10V、4.5V栅极驱动下的较大导通电阻降至
·Vishay Siliconix首创将高、低MOSFET集成在同一封装 (2009/6/25 10:23:24)
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品 --- SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6 mm×3....
·三菱电机携第4代DIPIPMTM 亮相PCIM中国展 (2009/6/2 17:25:29)
三菱电机一直致力推动环保,将携同第4代DIPIPMTM(双列直插式智能功率模块),在6月2日至4日于上海光大会展中心举行的PCIM中国展(展位号W2-P209)中亮相,向参观者推介越来越受市场欢迎的变频家电节能技术。 近年来,为了节能和获得更好的性能,变频电机驱动系统已得到广泛应用,其电流应用由大...
·英飞凌推出采用自动压接装配工艺的SmartPIM和SmartPACK功率模块 (2009/5/18 9:47:01)
在2009年纽伦堡PCIM展会上,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出全新的Smart系列IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。Smart 模块封装采用自动压接装配工艺,仅需一个螺钉通过单步安装流程可将模块安装到印刷电路板和散热器上。通过提供高可靠性压接技术,英飞凌满...
·IR推出增强型25V及30V MOSFET (2009/5/18 9:39:56)
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能,适用于消费和网络领域的计算应用。 新 MOSF...
·意法半导体(ST)创新高压晶体管技术,协助开发更可靠的高能效电源 (2009/5/13 10:19:25)
功率半导体技术的世界领导者意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出全新系列功率MOSFET晶体管,新产品的击穿电压更高,抗涌流能力更强,...
·飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50%的RDS(ON) (2009/5/13 10:08:25)
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM),有效提高电源设计的效率。FDMS8610...
·新LED驱动器系列削减元件开销 (2009/4/2 17:39:28)
Diodes公司推出全新LED驱动器集成电路(IC)系列AP880X,以显著减少驱动电路所需的外部元件数目和尺寸。AP880X降压式DC-DC转换器只需4个元件支持,能在高达600kHz的开关频率下工作,从而可以使用体积更小、成本更低的电感器和电容器。 Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表...
·研诺的AAT1282闪光驱动器芯片入选EDN创新奖较佳提名 (2009/3/5 10:06:34)
电源管理集成电路开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech™,纳斯达克股票市场代码:AATI),今日宣布研诺AAT1282闪光驱动器芯片已入选EDN杂志电源芯片较佳三款产品之一:即声望极高的EDN创新奖驱动器类。研诺逻辑于2008年4月推出AAT1282,该款产品为业界第一款2...
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