单片机系统中RAM数据掉电保护的处理方法

　　在测量、控制等领域的应用中，常要求单片机内部和外部RAM中的数据在电源掉电时不丢失，重新加电时，RAM中的数据能够保存完好，这就要求对单片机系统加接掉电保护电路。掉电保护通常可采用以下三种方法：一是加接不间断电源，让整个系统在掉电时继续工作，二是采用备份电源，掉电后保护系统中全部或部分数据存储单元的内容；三是采用EEPROM来保存数据。由于第一种方法体积大、成本高，对单片机系统来说，不宜采用。第二种方法是根据实际需要，掉电时保存一些必要的数据，使系统在电源恢复后，能够继续执行程序，因而经济实用，故大量采用［1］。EEPROM既具有ROM掉电不丢失数据的特点，又有RAM随机读写的特点。但由于其读写速度与读写次数的限制，使得EEPROM不能完全代替RAM。下面将介绍较常用的一些掉电保护的处理方法，希望能对相关设计人员在实际工作中有所帮助。

　　1 简单的RAM数据掉电保护电路

　　在具有掉电保护功能的单片机系统中，一般采用CMOS单片机和CMOS RAM。CMOS型RAM存储器静态电源小，在正常工作状态下一般由电源向片外 RAM供电，而在断电状态下由小型蓄电池向片外RAM供电，以保存有用数据，采用这种方法保存数据，时间一般在3－5个月［2］。然而，系统在上电及断电过程中，总线状态的不确定性往往导致RAM内某些数据的变化，即数据受到冲失。因此对于断电保护数据用的RAM存储器，除了配置供电切换电路外，还要采取数据防冲失措施，当电源突然断电时，电压下降有个过程，CPU在此过程中会失控，可能会误发出写信而冲失RAM中的数据，仅有电池是不能有效完成数据保护的，还需要对片选信号加以控制，保证整个切换过程中CS引脚的信号一直保持接近VCC。通常，采用在RAM的CS和VCC引脚之间接一个电阻来实现 COMS RAM的电源切换，然而，如果在掉电时，译码器的输出出现低电平，就可能出现问题，图1给出一种简单的电路设计，它能够避免上述问题的产生。

　　图1中，4060开关电路起到对CS控制的作用。当电压小于等于4.5V时就使开关断开，CS线上拉至“1”，这样，RAM中的数据就不会冲失；当电压大于4.5V时，4060开关接通，使RAM能正常进行读写。

　　2 可靠的RAM掉电保护电路

　　上述的电路虽然简单，但有时可能起不到RAM掉电保护的作用，原因是在电源掉电和重新加电的过程中，电源电压跃变的干扰可能使RAM瞬间处于读写状态，使原来RAM中的数据遭到破坏，因此，在掉电刚刚开始以及重新加电直到电源电压保持稳定下来之前，RAM应处于数据保持状态，6264 RAM、 5101 RAM等RAM芯片上都有一个CE2引脚，在一般情况下需将此引脚拉高，当把该引脚拉至小于或等于0.2V时，RAM就进入数据保持状态。

　　实用的静态RAM掉电保护电路如图2所示，图2中U1、U2为电压比较器，稳压管D3提供一个基准电压Vr（Vr＝ 3.5V）。当Vcc为5V时，在R4上得到的分压大于Vr，U2输出高电平，又因为U4输出也为高电平，故CE2输出为高电位，单片机此时可对RAM进行存取，当电源掉电时，Vcc开始下降，当满足如下条件时：

　　R4×Vcc/［（R4＋R3）/（R5＋R6）］≥Vr

　　U2 输出低电平，通过U5和U6使CE2输出小于等于0.2V，RAM进入数据保持状态（按图2中元件参数代入上式，当Vcc降到4.7V时，U2输出为低电位）。若Vcc继续下降使U3翻转，再通过D4、U4和U6进一步保证CE2为低电平。此外，当Vcc下降到小于E时，D2截止，D1导通，这时E作为 RAM的备份电源，当单片机重新加电时，Vcc由0跃变到5V时，U2的输出端会出现瞬间的干扰脉冲，由于U3和U4间电路的积分延迟（约0.7RC）， CE2并不立即升到高电平，因而阻止了U2的干扰脉冲，当延时结束时，电源电压已稳定在5V，此后CE2升高，单片机便可对RAM进行存取。图2中U3和 U6为一块四施秘特与非门（CD4093），该电路直接由E供电，这样才能保证掉电后使CE2≤0.2V，并在重新加电时CE2不受电源电压跃变的干扰，比较器U1和U2为电源供电，Vcc为后备电源U1的电压监视电路，当后备电池快用完时（小于3.5V），发光管会发出亮光，表明要换上新电池，备份电源可用3节5号干电池，也可以采用锂电池或镍电池。

　　在测量、控制等领域的应用中，常要求单片机内部和外部RAM中的数据在电源掉电时不丢失，重新加电时，RAM中的数据能够保存完好，这就要求对单片机系统加接掉电保护电路。掉电保护通常可采用以下三种方法：一是加接不间断电源，让整个系统在掉电时继续工作，二是采用备份电源，掉电后保护系统中全部或部分数据存储单元的内容；三是采用EEPROM来保存数据。由于第一种方法体积大、成本高，对单片机系统来说，不宜采用。第二种方法是根据实际需要，掉电时保存一些必要的数据，使系统在电源恢复后，能够继续执行程序，因而经济实用，故大量采用［1］。EEPROM既具有ROM掉电不丢失数据的特点，又有RAM随机读写的特点。但由于其读写速度与读写次数的限制，使得EEPROM不能完全代替RAM。下面将介绍较常用的一些掉电保护的处理方法，希望能对相关设计人员在实际工作中有所帮助。

　　1 简单的RAM数据掉电保护电路

　　在具有掉电保护功能的单片机系统中，一般采用CMOS单片机和CMOS RAM。CMOS型RAM存储器静态电源小，在正常工作状态下一般由电源向片外 RAM供电，而在断电状态下由小型蓄电池向片外RAM供电，以保存有用数据，采用这种方法保存数据，时间一般在3－5个月［2］。然而，系统在上电及断电过程中，总线状态的不确定性往往导致RAM内某些数据的变化，即数据受到冲失。因此对于断电保护数据用的RAM存储器，除了配置供电切换电路外，还要采取数据防冲失措施，当电源突然断电时，电压下降有个过程，CPU在此过程中会失控，可能会误发出写信而冲失RAM中的数据，仅有电池是不能有效完成数据保护的，还需要对片选信号加以控制，保证整个切换过程中CS引脚的信号一直保持接近VCC。通常，采用在RAM的CS和VCC引脚之间接一个电阻来实现 COMS RAM的电源切换，然而，如果在掉电时，译码器的输出出现低电平，就可能出现问题，图1给出一种简单的电路设计，它能够避免上述问题的产生。

　　图1中，4060开关电路起到对CS控制的作用。当电压小于等于4.5V时就使开关断开，CS线上拉至“1”，这样，RAM中的数据就不会冲失；当电压大于4.5V时，4060开关接通，使RAM能正常进行读写。

　　2 可靠的RAM掉电保护电路

　　上述的电路虽然简单，但有时可能起不到RAM掉电保护的作用，原因是在电源掉电和重新加电的过程中，电源电压跃变的干扰可能使RAM瞬间处于读写状态，使原来RAM中的数据遭到破坏，因此，在掉电刚刚开始以及重新加电直到电源电压保持稳定下来之前，RAM应处于数据保持状态，6264 RAM、 5101 RAM等RAM芯片上都有一个CE2引脚，在一般情况下需将此引脚拉高，当把该引脚拉至小于或等于0.2V时，RAM就进入数据保持状态。

　　实用的静态RAM掉电保护电路如图2所示，图2中U1、U2为电压比较器，稳压管D3提供一个基准电压Vr（Vr＝ 3.5V）。当Vcc为5V时，在R4上得到的分压大于Vr，U2输出高电平，又因为U4输出也为高电平，故CE2输出为高电位，单片机此时可对RAM进行存取，当电源掉电时，Vcc开始下降，当满足如下条件时：

　　R4×Vcc/［（R4＋R3）/（R5＋R6）］≥Vr

　　U2 输出低电平，通过U5和U6使CE2输出小于等于0.2V，RAM进入数据保持状态（按图2中元件参数代入上式，当Vcc降到4.7V时，U2输出为低电位）。若Vcc继续下降使U3翻转，再通过D4、U4和U6进一步保证CE2为低电平。此外，当Vcc下降到小于E时，D2截止，D1导通，这时E作为 RAM的备份电源，当单片机重新加电时，Vcc由0跃变到5V时，U2的输出端会出现瞬间的干扰脉冲，由于U3和U4间电路的积分延迟（约0.7RC）， CE2并不立即升到高电平，因而阻止了U2的干扰脉冲，当延时结束时，电源电压已稳定在5V，此后CE2升高，单片机便可对RAM进行存取。图2中U3和 U6为一块四施秘特与非门（CD4093），该电路直接由E供电，这样才能保证掉电后使CE2≤0.2V，并在重新加电时CE2不受电源电压跃变的干扰，比较器U1和U2为电源供电，Vcc为后备电源U1的电压监视电路，当后备电池快用完时（小于3.5V），发光管会发出亮光，表明要换上新电池，备份电源可用3节5号干电池，也可以采用锂电池或镍电池。

　　3 利用TL7705对现场数据进行保护

　　单片机构成的应用系统在突然断电时，往往使片内RAM数据遭到破坏，下面介绍一种利用TL7705构成的电源监控电路，使单片机系统在掉电时自动保护现场数据。

　　3.1 TL7705的工作原理

　　TL7705 是电源

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