CMOS振荡器点石成金

——IDT硅频率控制业务部门总经理Michael McCorquodale介绍全球精度较高的全硅CMOS振荡器

IDT^® 公司硅频率控制业务部门总经理Michael McCorquodale日前向媒体介绍了较新推出的全球精度较高的全硅CMOS振荡器，在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的100ppm总频率误差。

Michael McCorquodale

IDT3C02 振荡器

Michael McCorquodale介绍说，IDT3C02振荡器采用IDT专利的CMOS振荡器技术，可以用一个100ppm及以下频率精度的单片CMOS IC取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，而无需使用任何机械频率源或锁相环（PLL）。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口，如千兆以太网、SAS、超高速USB（USB 3.0）和PCI Express。该产品是通用石英晶体振荡器的一种低功耗、低抖动替代方案，因此非常适合服务器和企业设计，以及采用以太网端口的数据通信设备。

业界首个媲美石英的全硅计时参考体积很小

他表示：“凭借其100ppm的总频率误差，IDT3C02不愧为计时行业的一个重大突破。作为一个晶振替代品的理想选择，它扩展了今年早些时候发布的晶圆形式全硅CMOS振荡器，扩展了IDT在计时领域的领导地位。”

IDT3C02 振荡器可产生高精度的片上频率，而无需依赖压电或机械谐振器。该器件支持标准的现成可用的CMOS工艺，采用了可编程架构，支持各种配置选项，以适应广泛的应用范围。也许这些选项中较为关键的是工厂可编程的工作频率，与传统的石英解决方案相比，有助于缩短交货时间，包括特殊或罕见的频率。

IDT技术：谐振器采用CMOS

此外，IDT3C02振荡器采用一个独特的模拟核设计，其功耗低于2.5mA（空载典型值），从而为基于石英和PLL的高频率振荡器提供了一种低功耗替代方案，同时在1MHz载波偏移条件下实现了一流的－140dBc/Hz的相位噪声。该器件采用业界标准的5×3.2mm石英晶体兼容封装，即低成本、低高度的MSL1塑料IC封装，无需陶瓷密封的封装。

IDT3C02 还具有200nA（典型值）的低功耗待机模式，以及100μs（典型值）的快速启动时间。这些功能组合使该器件非常适合功率敏感的设计，允许频繁的开关电源以进一步节省功耗。由于该器件不包含任何运动元件，且不使用机械或压电电子谐振来产生电子频率，全硅的单片方案实现了优良的耐冲击和振动能力。

CMOS振荡器解决了缩小外形的问题

Michael McCorquodale较后表示，IDT于2010年1月收购了Mobius Microsystems，并于2010年4月推出第一款产品，现在终于推出了打破石英传统的令人激动的CMOS新产品。他透露，新产品的货总量已超过300万片，在许多应用设计中中标。300ppm和400ppm器件已经开始批量生产，100ppm已提供样品，未来将不断增加的产品组合，以满足客户的各种需求。

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