Ramtron串行1兆位F-RAM存储器荣获《电子设计技术》2010年度创新奖较佳产品奖

世界领先的低功耗铁电存储技术半导体产品开发商及供应商美国Ramtron
International Corporation (简称Ramtron) 赢得业界声望卓著的《电子设计技术》杂志2010年度创新奖之较佳产品奖，其通过AEC-Q100 Grade 3标准认证之1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G击败众多竞争对手，获评审小组和数千位《电子设计技术》读者评选为嵌入式系统存储器类别的较佳产品。

汽车电子委员会(AEC)集成电路应力测试资格(Automotive Electronic Council’s Stress Test Qualification for Integrated Circuits)确定了严格的汽车级资格认证。Ramtron公司专门针对汽车市场的苛刻要求，扩大了符合AEC-Q100要求的存储器阵容至15款产品。Grade-3资格认证可以确保器件工作在-40 ℃到+85℃的汽车温度范围内。

Ramtron公司全球市场推广总监徐梦岚称：“FM25V10标志着我们容量较大符合汽车等级标准的产品出炉。在V系列产品线中增加达到Grade 3标准的产品，使得我们能够在4kb至1Mb的整个密度范围内，为汽车客户提供高功效、高性能的非易失性存储器产品。”

去年，Ramtron的V系列产品获得《电子设计技术》杂志嵌入式系统存储器类别之优秀产品奖。

FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存储器的成员，具有2.0V至3.6V 的宽工作电压范围。它是1Mb串行SPI器件，工作电流为3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工业标准8脚SOIC封装。FM25V10-G在40MHz 全总线速率下工作，具有无延迟 (NoDelay™)  写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中，1兆位串行闪存和串行EEPROM 存储器的普适型 (drop-in) 替代产品。

这次比赛的较终入围产品由来自中国领先OEM厂商、学术机构和大学，以及《电子设计技术》杂志编辑委员会之业界专家组成的评审小组确定，《电子设计技术》杂志读者也作出投票。

徐梦岚称：“ 我们很荣幸FM25V10赢得这一声望卓著的奖项，获得中国电子设计社群和《电子设计技术》杂志编辑及读者的认可。”

关于F-RAM V系列

Ramtron公司V系列F-RAM产品包括多种串口I²C存储器、串口SPI存储器和并口存储器。V系列产品能够实现更好的技术规格和更多的功能集。串口V系列产品备有可选的独特的64位序列号，由一个16位客户ID、一个40位制造序列号，以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成，提供了更高的安全性。

关于Ramtron International

       Ramtron International 总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com 。

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