美国国家半导体推出业界较低噪声全新零漂移放大器

2008年11月17日10:05:43 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)较新推出的两款零漂移运算放大器，不但具有业界较低的输入电压噪声(以1000V/V倍增益操作时，输入噪声低至11nV/sqrt Hz)，而且以直流电压进行操作时准确度也极高，较适用于低频率、低供电电压的传感器接口系统。由于这两款新芯片在性能上具有明显的优势，从而使这类零漂移放大器的应用领域得以进一步扩大，甚至适用于增益要求极高而噪声低至15nV/sqrt Hz 以下的传感器接口。

单组装的LMP2021及双组装的LMP2022高精度运算放大器非常适用于传感器接口系统，其中包括负载传感器、压力感器及力度传感器，因此可以广泛用于工业系统、科研用重量计、医疗、测量设备、以及供暖、通风和空调系统。美国国家半导体已将这两款放大器芯片列为较新推出的WEBENCH® Sensor Designer 传感器设计工具之一。这套全新的在线设计工具可以简化设计流程，并缩短开发时间。以传感器信号路径的设计为例，工程师只需在键盘上轻按几次，便可完成从构思、模拟测试到建模的整个设计过程。

美国国家半导体的零漂移放大器采用创新的噪声波形调整技术，可以利用内置的连续校正电路确保输入偏移错误电压自动归零，换言之，无论操作时间有多长、温度出现什么变化，这两款放大器都可不断保持较高的精确度，并具有极高的共模抑制比(CMRR)及电源抑制比(PSRR)。以振幅较小的输入信号为例，虽然这类信号以较高增益倍数放大，但这两款运算放大器在放大这些信号之后，其输入电压噪声反而会下降，由100V/V增益的15nV/sqrt Hz (典型值) 下降至 1000V/V增益的11nV/sqrt Hz。若以该关键参数作为基准进行比较，美国国家半导体这两款产品比竞争对手优胜50%。此外，这两款运算放大器还可滤除低频系统的中频错误电压噪声。

LMP2021/22芯片均内置可抑制电磁干扰（EMI）滤波器，它是较近推出的LMV83x、LMV85x及LMV86x超强抗电磁干扰能力运算放大器系列的较新型号。LMP2021/22芯片的电磁干扰抑制比(EMIRR)高达79dB，因此可抑制外来的射频干扰。此外，这两款运算放大器除了适用于24位的数据采集系统之外，也可驱动美国国家半导体较新推出的16位ADC161S626模拟/数字转换器。这款模拟/数字转换器可在摄氏-40度至85 度的温度范围内保持 +/-0.003% 的信号准确度。以高分辨率的数据采集系统为例，系统设计工程师一般会根据模拟/数字转换器的满标度输入范围设定传感器的输出，以确保系统具有较高的灵敏度。

LMP2021/22 零漂移高精度放大器的主要特性

单组装的LMP2021及双组装的LMP2022都属于零漂移、低噪声、抗电磁干扰能力更强的运算放大器，其优点是输入偏移电压漂移温度系数(TCVos)极低(每摄氏度仅有0.004uV)，而偏移电压典型值则只有0.4uV。这两款芯片均可在2.2V至5.5V的供电电压范围内进行操作，增益带宽则高达5MHz，但每通道的耗电则低至1.1mA。LMP2021/22运算放大器的开环增益为160dB，共模抑制比为139dB，而电源抑制比则为130dB。此外，这两款芯片都可在摄氏-40度至125度的宽温度范围内进行操作。LMP2021芯片有5引脚 SOT23及8引脚 SOIC两种封装可供选择，而LMP2022芯片则有8引脚SOIC及8引脚MSOP两种封装。

美国国家半导体推出业界较低噪声全新零漂移放大器

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