SemiSouth 为高效电源管理推出业界阻值较低的SiC 功率晶体管

快速切换常开型 SiC JFET；没有尾电流，切换功耗比同类 1200 V 电源开关低四至十倍

SemiSouth Laboratories 公司日前宣布推出全新 45 毫欧、1200 V 业界阻值较低的常开型沟槽 SiC 功率 JFET 产品系列。该公司是针对碳化硅 (SiC) 晶体管进行技术研发和生产的领先制造商，其产品主要定位于高功率、高效率和恶劣环境电源管理和转换应用。 这些突破性装置的主要应用领域包括太阳能逆变器、SMPS、感应加热、UPS、风能应用和电动机驱动。沟槽型 SiC JFET 系列于 2008 年首次推出，本装置是其第六代产品。该较新装置具有全球商用 SiC 晶体管较低的导通阻值。

本产品之芯片片芯尺寸较小，且可提供业界较低的导通电阻 RDS（开），较大阻值仅为 0.045Ω，它具有恰当的低栅极电荷和固有电容，可实现高效、低损耗和高频率操作。  除方便并联的正温度系数外，新型 SJDP120R045 JFET 还可提供迅速的切换且没有尾电流，TO-247 封装的工作温度甚至高达 175℃。此外，本产品还可为模块合作伙伴提供裸芯片 (SJDC120R045)。在电压控制方面，JFET 有数种简单的栅极驱动方案。有关完整的参考设计和应用注释，请向本公司索取。

销售总监 Dieter Liesabeths 评论： 「SemiSouth 的 SiC 功率半导体能够以极具竞争力的价格提供业界领先性能。 这些 JFET 的切换损耗比同类装置低三至四倍，导通电阻甚至可减少一半，以更低的价格提供更高的稳定性。凭借我们简单的门极驱动解决方案，它们比 MOSFET 更易于驱动。 JFET 有两种商业封装：TO-247 (SJDP120R045) 和裸芯片封装 (SJDC120R045)，以便整合到高性能和高效率功率模块之中。本产品深受太阳能逆变器、汽车、医疗、风能应用、工业电源和其它市场的欢迎，其应用范围正迅速扩大。」

SemiSouth 产品可透过多家优质代理商/分销商的全球分销网络提供，他们的联络信息载于此处： (http://www.semisouth.com/contact/salesreps-distributors.html)。

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