您好,欢迎光临电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
当前位置:电子应用网 > 新闻中心 > 正文

IR 推出采用新型 WideLead 封装的车用 MOSFET 系列,可减少 50% 引线电阻,同时提高 30% 电流

2011年05月24日10:25:43 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% 引线电阻,并提高 30% 电流。

 

这款新型车用 MOSFET 系列适合需要低导通电阻 (Rds(on)) 的通用大负荷/高功率通孔应用,内燃机 (ICE) 汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用 IR 先进的硅和封装技术,在显著提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。

 

在标准 TO-262 通孔封装中,除了 MOSFET 导通电阻,源极和漏极引线电阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封装可将引线电阻降至不到 0.5 mΩ,大大减少了引线中的传导损耗和热量,在特定的工作温度下,比传统的 TO-262 封装的电流承载能力高30%。根据评估,在直流电为 40A 和 60A 的条件下,WideLead 引线温度比标准 TO-262分别低 30% 和 39%。此外,随着其它封装技术的提高,WideLead 比标准 TO-262 封装中的同等 MOSFET 少传输 20% 导通电阻。

 

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型 WideLead TO-262 封装的设计灵感来自于DirectFET® 封装超低芯片自由阻抗的出色性能,以及传统 TO-262 封装的各种局限性。IR 新型 WideLead 封装中的 MOSFET 新系列在传输高电流的同时,大大降低了引线中的传导损耗和自身热量,从而为汽车应用提供了一个坚固可靠的解决方案。”

 

所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。

 

新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

 

产品规格

器件编号

封装

V(BR)DSS (V)

10VGS时的

较大导通电阻 ()

TC 25°C时的ID 较大值 (A)

10VGS 时的

QG 典型值(nC)

AUIRF1324WL

TO-262WL

24

1.3

240

120

AUIRF3004WL

TO-262WL

40

1.4

240

160

 

 

 

有关产品现已接受批量订单。相关产品资料、应用说明和认证标准请访问 IR 网站 www.irf.com 。现有 Spice 模型供申请。

 

 

专利和商标

IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

 

 

- 完 -

 

 

IR简介

国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球较大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

 

IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn

网友评论:已有2条评论 点击查看
登录 (请登录发言,并遵守相关规定)
如果您对新闻频道有任何意见或建议,请到交流平台反馈。【反馈意见】
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2025 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-2 京公网安备110105003345号