飞兆半导体单一P沟道PowerTrench® MOSFET具有小体积和低导通阻抗

专为手机、超便携应用中的电池或负载开关而设计

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。

FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有出色的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性模式应用。要了解更多的信息或订购样品，请访问公司网页：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA905P.html, http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME905PT.html

特性和优势

FDMA905P:

·          采用2mm x 2mm MicroFET™ 封装，器件高度 – 较大0.8mm

·          确保低R_DS(ON) (MAX R_DS(ON) = 16mΩ at V_GS = -4.5V, I_D = -10A)

·          具有出色的散热性能(R_{ΘJA =} 52 ℃/W)

FDME905PT:

·        采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封装，器件高度 – 较大0.55mm

·        确保低 R_DS(ON) (MAX R_DS(ON) = 22mΩ at V_GS = -4.5V, I_D = -8A)

·        具有出色的散热性能(R_{ΘJA =} 60 ℃/W)

FDMA905P和FDME905PT不含卤化物和氧化锑，满足RoHS标准的要求。两款器件均可在低电压下安全运作，适用于手机和超便携设备。

飞兆半导体是便携技术的领先厂商，提供可定制的丰富的模拟和功率IP产品系列以满足特定的设计需求，以实现“解决方案助您成功”的目标。通过将先进的电路技术集成在微型高级封装中，飞兆半导体为便携产品用户提供了重要的优势，同时能够减小设计的尺寸、成本和功率。飞兆半导体的便携IP业已用于现今大部分手机中。

获得飞兆半导体便携解决方案的更多信息，请访问飞兆半导体网页： http://www.fairchildsemi.com/applications/diagrams/mobile.html

飞兆半导体：解决方案助您成功！

价格：订购1,000个

FDMA905P  每个0.29美元

FDME905PT       每个0.26美元

供货: 按请求提供样品

交货期: 收到订单后8至12周内

编辑注：产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取：

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA905P.pdf 

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME905PT.pdf

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