IR推出采用 TO-220 fullpak 封装、坚固可靠的车用功率MOSFET

2012年06月19日15:05:17 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。

在N和P通道配置中，该新型55V平面器件可作为标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET来使用，提供的较大导通电阻 (Rds(on)) 低达8mΩ。TO-220 fullpak封装无需额外的绝缘硬件，所以能够简化设计和提高整体系统可靠性。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新MOSFET系列基于IR已被验证的平面技术，采用TO-220 fullpak封装，在线性模式和汽车应用中都表现良好，这其中需要坚固耐用且可靠的MOSFET来驱动高电感负载。”

所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。AEC-Q101标准要求器件在经过1,000次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过20%。然而，经过延长测试后，IR的新AU物料单在5,000次温度循环时的较大导通电阻变化低于10%，体现了该物料单的高强度和耐用性。

新器件符合AEC-Q101标准，所采用的材料环保、不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

产品规格

标准栅极驱动

器件编号	封装	V(BR)DSS (V)	10VGS时的较大导通电阻(mΩ)	TC为25°C 时的ID较大值(A)	10VGS时的QG典型值(nC)
AUIRFI3205	TO-220 FullPak	55	8.0	56	113
AUIRFIZ44N	TO-220 FullPak	55	24	28	43
AUIRFIZ34N	TO-220 FullPak	55	40	19	23
AUIRFI4905	TO-220 FullPak	-55	20	-74	120

逻辑电平栅极驱动

器件编号	封装	V(BR)DSS (V)	4.5VGS时的较大导通电阻(mΩ)	TC为25°C时的ID较大值(A)	4.5VGS时的QG典型值 (nC)
AUIRLI2505	TO-220 FullPak	55	8.0	58	130

新器件正接受批量订单。相关数据和认证标准，请浏览IR的网站www.irf.com，IR还根据客户需求提供Spice模型。

商标

IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

IR推出采用 TO-220 fullpak 封装、坚固可靠的车用功率MOSFET

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