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IR推出采用 TO-220 fullpak 封装、坚固可靠的车用功率MOSFET

2012年06月20日21:45:34 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列,适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。

 

NP通道配置中,新型55V平面器件可作为标准和逻辑电平栅极驱动MOSFET来使用,提供的较大导通电阻 (Rds(on)) 低达8mΩTO-220 fullpak封装无需额外的绝缘硬件,所以能够简化设计和提高整体系统可靠性。

 

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新MOSFET系列基于IR已被验证的平面技术,采用TO-220 fullpak封装,在线性模式和汽车应用中都表现良好,这其中需要坚固耐用且可靠的MOSFET来驱动高电感负载。”

 

所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。AEC-Q101标准要求器件在经过1,000次温度循环测试后,导通电阻变化幅度不能超过20%。然而,经过延长测试后,IR的新AU物料单5,000次温度循环时的较大导通电阻变化低于10%,体现了该物料单的高强度和耐用性。

 

新器件符合AEC-Q101标准,所采用的材料环保、不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)

 

产品规格

 

标准栅极驱动

器件编号

封装

V(BR)DSS (V)

10VGS时的较大导通电阻(mΩ)

TC25°C 时的ID较大值(A)

10VGS时的QG典型值(nC)

AUIRFI3205

TO-220 FullPak

55

8.0

56

113

AUIRFIZ44N

TO-220 FullPak

55

24

28

43

AUIRFIZ34N

TO-220 FullPak

55

40

19

23

AUIRFI4905

TO-220 FullPak

-55

20

-74

120

 


 

逻辑电平栅极驱动

器件编号

封装

V(BR)DSS (V)

4.5VGS时的较大导通电阻(mΩ)

TC25°C时的ID较大值(A)

4.5VGS时的QG典型值 (nC)

AUIRLI2505

TO-220 FullPak

55

8.0

58

130

 

新器件正接受批量订单。相关数据和认证标准,请浏览IR的网站www.irf.comIR还根据客户需求提供Spice模型。

 

 

商标

IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

 

 

- -

 

IR简介

 

国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球较大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

 

IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站www.irf.com中国网站www.irf.com.cn

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