飞兆半导体扩展PowerTrench® MOSFET系列, 提高功率密度并增加SMPS设计效率

2012年08月17日10:41:12 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

中等电压MOSFET器件采用高性能硅片减低品质因数，提高同步整流应用的可靠性

提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便较大限度地减小线路板空间，同时提高效率和降低功耗。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench® MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。

这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员，是结合低栅极电荷(QG)、低反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款，由于采用优化的软反向恢复体二极管，减少了缓冲器电路的功耗，与竞争解决方案相比，可将电压尖刺减少多达15%。

这些器件采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅极结构，从而达到较高的功率密度、较低的振铃和更好的轻载效率。通过使用这项技术，新器件获得了较低的品质因数(QG × RDS(ON))，同时降低驱动损耗来提高功率效率。

这一系列的首批器件包括采用Power56封装的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件，以及采用TO-220 3引脚封装的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。

特性和优势

· 较小的封装尺寸(Power56和TO-220 3引脚封装)，具有较大的热性能/系统尺寸比

· 较低的QG以降低栅极驱动损耗

· 低QGD/QGS比，防止不必要的误导通，提高系统可靠性

· 低动态寄生电容，减少高频应用的栅极驱动损耗

· 100% UIL测试

· 满足RoHS要求

新增的PowerTrench® MOSFET器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrench技术产品系列的一部分，它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。

飞兆半导体：解决方案助您成功！

价格：订购1,000个

FDMS015N04B: 每个1.78美元

FDMS039N08B: 每个1.60美元

FDP020N06B: 每个4.50美元

FDP027N08B: 每个3.30美元

供货: 按请求提供样品

交货期: 收到订单后8至12周内

编辑注：产品的 PDF 格式数据表可从此网址获取：

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS015N04B.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS039N08B.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP020N06B.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP027N08B.pdf

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飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) －全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息，请访问网站：www.fairchildsemi.com。

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