TriQuint推出新型高性能GaAs射频驱动放大器
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓 (GaAs) 射频驱动放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106,它们在CDMA、WCDMA和LTE基站或类似应用中能够提供一流的线性度、低功耗和先进的保护功能。这些高性能放大器具有极宽工作带宽并且非常坚固,在操作范围50到1500 MHz之间提供高性能。
TQP7M9105和TQP7M9106 是不断发展壮大的TriQuint 第三代5V线性驱动放大器产品系列的较新成员。除了在蜂窝收发基站 (BTS) 应用中的卓越性能以外,它们同样非常适用于远程无线电头端 (RRH) 和小蜂窝基站的射频设计。
TQP7M9105提供1W(+30 dBm)的P1dB射频输出功率,增益为19.4 dB,输出三阶交调截取点(OIP3)为达到同类产品较高线性度的49 dBm,在+5 V电压下耗电仅为220 mA。TQP7M9106提供2W(+33 dBm)的P1dB射频输出功率,增益为20.8 dB, 输出三阶交调截取点为大于竞争器件的50dBm,在+5 V电压下耗电仅455 mA。这两款器件都集成了片上电路,这使它们能够达到工作模式为 A类但效率为 AB类的放大器的典型线性度。
另外这两种产品还具有出色的耐电强度,能够处理它们经常会遇到的“超出规范的”工作条件。例如,它们能够提供射频输入过载保护和直流过压保护。此外,它们的片上静电放电 (ESD) 保护使它们能够满足严格的 1C类 HBM规范要求,这使它们能够经受通常会在正常制造环境中遇到的大部分杂散电压。这两种产品采用符合RoHS标准的无铅SOT-89 (TQP7M9105) 封装和4x4mm QFN (TQP7M9106) 表面贴装封装。
技术细节:
TQP7M9105 |
50-1500 MHz射频驱动放大器,1W (+30 dBm) P1dB 射频输出功率、+49 dBm OIP3、19dB 增益、片上射频输入过载、直流过压和静电放电保护;+5V 电源,220mA电流消耗;采用3引脚SOT-89封装。 |
TQP7M9106 |
50-1500 MHz射频驱动放大器,2W (+33dBm) P1dB 射频输出功率、+50 dBm OIP3、20dB 增益、片上射频输入过载、直流过压和静电放电保护;+5V 电源,455mA电流消耗;采用24引脚4x4mm QFN封装。 |
新TQP7M9105和TQP7M9106驱动放大器现已量产并供应完整组装的评估夹具。欲了解产品细节请联系TriQuint,欲联系销售代表或分销商,请登录http://cn.triquint.com/sales。
成立于1985年的TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)是提供世界领先水平的通信、国防和航空航天公司创新射频解决方案与代工服务的全球领先供应商。世界各地的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系;TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内较广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识,TriQuint生产基于砷化镓 (GaAs)、氮化钾 (GaN)、声表面波 (SAW) 和声体波 (BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂,在哥斯达黎加拥有生产中心,在北美地区和德国拥有设计中心。欲知更多信息请访问http://cn.triquint.com/。
前瞻性声明
本TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码:TQNT)新闻稿包含依据1995年《私人证券诉讼改革法》的“安全港”条款所做的前瞻性声明。 读者须知前瞻性声明包含风险与不确定性。本新闻稿中所做的警示性声明适用于所有相关声明,不论它们出现在什么地方。包含‘先进’、‘卓越’、‘高性能’等字词或类似表述的声明应被视为包含不确定性和属于前瞻性声明。有许多因素都会影响TriQuint的经营结果,并可能造成其未来实际结果 与本新闻稿中或者由TriQuint或代表TriQuint所做的任何其他前瞻性声明中所述的任何结果出现实质性出入,这些因素包括但不限于:与客户对我们的产品与技术的接受程度及需求的不可预测性和变动性有关的因素,我们生产工厂的能力和我们的供应商在满足我们的需求方面的因素,我们生产工厂的能力和我们的供应商以足以保持盈利的产量来生产产品的因素,以及TriQuint在美国证券与交易委员会备案的较新10-Q报告中阐述的其他 “风险因素”。本报告和其他报告可在美国证券交易委员会网站 (www.sec.gov) 上找到。本新闻稿的读者应当理解,这些和其他风险因素可能造成实际结果与前瞻性声明中明示/暗示的期望出现实质性出入。
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