Microsemi提供S波段 RF功率晶体管适用于空中交通管制雷达航空应用

现提供新型500W GaN on SiC晶体管产品

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

在2.7 至2.9 GHz频段上，2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏极效率性能，通过单一器件在这个频段上提供较大功率，主要特性包括：

• 标准脉冲间歇格式：       100µs, 10 % DF  
• 出色的输出功率：            500W
• 高功率增益：                    >11.5 dB min
• 漏极偏压−Vdd：       +65V
• 低热阻：                            0.2℃/W

使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括：

• 具有简化阻抗匹配的单端设计，替代需要额外合成的较低功率器件
• 较高峰值功率和功率增益，可减少系统功率级数与末级合成
• 单级对管提供具有余量的1.0 kW峰值输出功率，通过四路组合提供全系统2kW峰值输出功率
• 65V的高工作电压减小电源尺寸和DC电流需求
• 极其稳健的性能提升了系统良率，而且
• 放大器尺寸比使用硅双极结晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50%

封装和供货：

2729GN-500晶体管采用单端封装供货，在密封的焊料密封封装中采用100% 高温金镀金线材布线，实现长期军用级可靠性。美高森美将为符合资格的客户提供租借演示单元，并在公司网站www.microsemi.com上提供技术资料表。要了解更多的信息，请发送电邮至sales.support@microsemi.com。

关于美高森美公司 

美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 为通信、国防与安全、航天，医疗与工业，以及新能源市场提供综合性半导体与系统解决方案，包括高性能、高可靠性模拟和射频器件，混合集成电路、射频集成电路、可定制化片上系统(SoC)、可编程逻辑器件（FPGA）与专用集成电路(ASICS)、功率管理产品、时钟与语音处理器件，以及以太网供电(PoE)IC与电源中继(Midspan)产品。美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo，全球员工总数约3,000人。欲获取更详尽信息，请访问网站：http://www.microsemi.com。 

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