MDT推Z轴TMR传感器 可用于电子罗盘和电流传感器

MDT 推出应用于电子罗盘和电流传感器的 Z 轴 TMR 传感器

• MDT 独特的 TMR 技术所造就的新型 Z 轴 TMR 传感器可作为霍尔效应传感器的替代品，并拥有优异性能和超低功耗

精通隧道磁阻 (TMR) 技术的磁传感器领先供应商江苏多维科技有限公司 (MDT) 推出了先进的 Z 轴 TMR 传感器。新型的 Z 轴 TMR 传感器对穿过传感器表面的磁场垂直分量进行测量，在感应方向上与霍尔效应传感器相兼容。它们为多轴电子罗盘 (eCompass)、电流传感器和通用线性磁场传感提供了新的选项，并拥有高灵敏度、低噪声、超低功耗和卓越的温度稳定性等 TMR 传感器的优点。这些优点是霍尔效应传感器所不具备的。

（图标：http://photos.prnewswire.com/prnh/20120110/LA30781LOGO ）

多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示：“MDT 对 Z 轴 TMR 传感器的发明是磁传感器技术进步中的一项重大突破。我们克服了 Z 轴 TMR 传感器开发过程中必然会遇到的艰难的工艺和设计挑战，同时保留了我们现有的平面感应 TMR 传感器的优异性能。我们的客户将可以沿用为霍尔效应方案设计的机械结构或磁铁，同时采用 MDT 的 Z 轴 TMR 传感器并享受诸多霍尔效应传感器无法提供的 TMR 技术的优点。Z 轴 TMR 传感器可整合进多轴电子罗盘、以及包括电流传感器的定制设计，或作为通用线性磁场传感的独立器件。我们期望 Z 轴 TMR 传感器可以将 MDT 的 TMR 技术优势，包括更好的性能、更低的功耗和更高的可用性，带到更广阔的磁场传感细分市场，而这些市场目前被霍尔效应传感器占据了主导地位。”

MDT 旗下 Z 轴 TMR 传感器的独特性能优势（霍尔效应传感器所不具备的）：

• 可定制超过 1mV/V/Oe 的高灵敏度
• 电阻值可以在很宽的范围内轻易调整到高达数兆欧姆，可满足从高速度到超低功耗的各种应用要求
• 低噪声谱密度和宽频带
• 在零下40至零上125摄氏度之间展现出卓越的温度稳定性

MDT 是首家 TMR 传感器批量供应商，拥有多个产品系列，包括 TMR 磁开关、TMR 线性磁场传感器、TMR 角度传感器 、 TMR 齿轮传感器 和 TMR 磁特征识别传感器 。Z 轴 TMR 传感器预计将于2014年第一季度加入 MDT 的产品系列。

MDT 简介

多维科技创立于2010年，总部设在中国江苏省张家港，在中国上海和美国加利福尼亚州圣何塞设有分公司。MDT 拥有多项独特的专利技术和较先进的制造能力，可批量生产高性能、低成本 TMR 磁传感器以满足较严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下，MDT 致力于为客户带来更多附加值，并确保他们的成功。有关 MDT 详情，请访问： http://www.multidimensiontech.com  。

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