Synopsys全新已流片DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP将面积缩小高达50％

2014年05月07日09:52:45 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

关键字：应用半导体电源数字

采用14/16nm FinFET和28nm工艺的小片芯占用面积PHY降低了消费类、移动、存储及网络应用的硅成本

亮点：

· DesignWare USB 2.0 femtoPHY IP的面积小于0.2平方毫米，DesignWare USB 3.0 femtoPHY的面积小于0.5平方毫米，使设计师能够节省面积并降低整体硅成本

· DesignWare USB 3.0 femtoPHY完全支持USB 2.0，与全球数十亿部设备兼容

· 具有关闭电源后保留数据的功能，在确保数据被保存的同时延长电池寿命；支持USB 电池充电v1.2版规范（USB Battery Charging v1.2），以确保便携式设备的高效充电

· DesignWare USB femtoPHY采用减少引脚数量的设计，从而将SoC的外部面积和宽度降至较低

· 带有DesignWare USB femtoPHY的28nm和14nm FinFET工艺的消费类芯片已成功流片

为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权（IP）及服务的全球性领先供应商新思科技公司（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS）今日宣布：通过推出全新的DesignWare®USB femtoPHY系列IP，已将USB PHY的实现面积缩小多达50％；从而可在28nm和14/16nmFinFET工艺节点上，将USB PHY设计的片芯占用面积和成本降至较低。采用28nm和14nm FinFET硅工艺的DesignWare USB femtoPHY已展示出稳固的性能，使设计师能够在先进工艺技术节点上实现该IP，同时降低系统级芯片（SoC）设计风险。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY专为极小面积而优化，满足了诸如智能手机和平板电脑等移动设备，以及诸如数字电视、存储等网络应用等大批量消费应用的严苛要求。

DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP（DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET和DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET）已经在第三方实验室中通过了USB-IF一致性测试。DesignWare USB femtoPHY达到或超过了USB-IF标准规范，包括5V耐压和3.3V信令体制，提供了有利于系统配置运行全部规格定义功能的强大性能。DesignWare USB femtoPHY支持所有的USB应用模式，为系统设计师提供了一系列多样化的SoC设计选项。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY两个产品都支持Hi-Speed高速、Full-Speed全速和Low-Speed低速运行，以及作为主控、设备和OTG等不同配置，同时DesignWare USB 3.0 femtoPHY还支持超高速USB运行（USB 3.0）。

“基于我们长期成功使用DesignWare USB IP的经验，我们实现了带有高品质DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP芯片的一次流片成功，”三星电子晶圆代工市场营销副总裁Shawn Han博士表示：“在三星晶圆代工厂中制造的带有DesignWare USB femtoPHY IP的芯片，是首款采用14 nm FinFET工艺的、通过了USB-IF认证的芯片。通过集成一个面积显著缩小的PHY，提高了我们客户系统级芯片的竞争力，并且简化了添加USB连接的过程。Synopsys的DesignWare femtoPHY够满足大批量移动和消费类应用的成本、功耗、性能和上市时间的需求，它们对于我们在这些快速发展的市场中获得成功至关重要。”

该图显示了14nm FinFET工艺技术的Synopsys DesignWare USB3.0 femtoPHY的优异性能和宽泛余量

Synopsys开发的USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP使设计师能够为其应用选择较佳实现方式，而不牺牲USB一致性认证所要求的功能或性能。需要高性能的设计可以使用USB 3.0 femtoPHY符合SuperSpeed USB（USB 3.0）规范的5.0 Gbps数据传输速率。需要较低性能的应用可以使用USB 2.0 femtoPHY符合Hi-Speed USB（USB 2.0）规范的480MHz传输速率。两种DesignWare USB femtoPHY都能够将SoC外部所需的引脚数量降至较低，以进一步缩减SoC的面积和成本。当PHY闲置时，关闭电源这一功能可将电池耗电量降至较低，同时保持所有的PHY状态，以确保快速、精确的上电后功能。此外，DesignWare USB femtoPHY支持广为使用的v1.2USB电池充电规范和USB On-The-Go (OTG) v2.0协议。

“18多年来，作为USB-IF的一名活跃成员，Synopsys一直不断地开发相关IP产品，简化了USB 3.0和USB 2.0接口的集成和应用，”USB应用者论坛总裁兼首席运营官Jeff Ravencraft表示道：“获得USB-IF认证表明一款产品符合USB-IF的互操作性标准，并且符合相应的USB规范。Synopsys提供的全新的、面积更小的DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY，使制造商能够将该技术引入其SoC中。”

“SoC设计师已经依靠Synopsys 在3,000多款设计和100多种工艺技术中实现了USB接口，使我们十多年来一直领跑USB IP供应，”Synopsys IP与原型设计市场营销副总裁John Koeter表示：“我们能够为先进工艺技术提供高质量IP这样的专业技术和成功记录，使设计师可集成能够可靠地满足其严格应用需求的IP。随着DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP的面市，以及在FinFET工艺中成功流片，我们将能够帮助我们的客户满足业界对更小的、高性价比的、高性能的SoC需求。”

供货

采用领先14/16 nm FinFET 和28 nm工艺节点的DesignWare USB 2.0和USB 3.0 femtoPHY IP现在已经开始供货。

关于DesignWare IP

新思科技（Synopsys）是一家为各种SoC设计提供高质量并经硅验证IP解决方案的领先供应商，其丰富的DesignWare IP产品组合包括完整的接口IP解决方案（包括支持多种常用协议的控制器、PHY和下一代验证IP），模拟IP，各种嵌入式存储器，逻辑库，处理器解决方案和子系统。为了支持软件开发及IP的软硬件集成，Synopsys还为其多种IP产品提供驱动软件、事务级模型和原型。Synopsys的 HAPS®基于FPGA的原型解决方案支持在系统环境中验证IP和SoC。Synopsys的Virtualizer™虚拟原型工具箱使开发人员能够比传统方法提前很久就开始为IP或者整个SoC开发软件。凭借一种稳健的IP开发方法学，以及在质量、IP原型、软件开发及综合性技术支持等领域内的大力投入，Synopsys使设计师能够加快产品的上市并降低集成风险。如需更多有关DesignWare IP的信息，请访问：http://www.synopsys.com/designware。

关于Synopsys

Synopsys有限公司(Nasdaq:SNPS)加速了全球电子市场中的创新。作为电子设计自动化（EDA）和半导体IP领域内的领导者，Synopsys提供的软件、IP和设计服务可帮助工程师应对设计、验证、系统和制造中的各种挑战。自1986年以来，世界各地的工程师使用Synopsys的技术已经设计和创造了数十亿个芯片和系统。更多信息，请访问：http://www.synopsys.com。

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