Vishay推出采用SurfLight™技术的新款红外发射器可大幅减少周边器件数量并显著降低方案成本
高速器件采用引线和SMD封装,辐照强度达600mW/sr,有不可见的红外辐射
宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 4 月14日 — 日前,Vishay
Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,发布新型的采用插脚封装和SMD封装的高速940nm红外发射器---VSLY5940、VSMY1940X01、VSMY3940X01、VSMY2940G/RG和VSMY14940*,扩展其光电子产品组合。这些Vishay
Semiconductors器件采用Vishay的SurfLight™表面发射器芯片技术,辐照强度比标准的红外发射器高5倍以上,在各种红外照明、数据传输和手势识别应用中可减少元器件数量,提高性能,降低方案成本。
今天发布的器件包括一个带抛物线透镜的5mm插脚红外发射器,8个采用0805、PLCC-2封装,含顶视、侧视SMD器件。不同于由从芯片各个方向发光的红外发射器,Vishay的SurfLight器件把几乎所有光和功率由芯片的上侧发射出去。由于把大部分光集中在表面,这些器件实现了更高的强度,带插脚的发射器的辐照强度达到惊人的600mW/sr,SMD器件的辐照强度从10mW/sr到120mW/sr。
SurfLight发射器具有高亮度,插脚的器件半强角为±3°,SMD器件半强角从±9°到±60°。凭借940nm波长和窄光谱带宽,发射器可确保发出CCTV和夜视系统、游戏机、烟雾探测器、光幕、接近传感器和红外触摸屏中的CMOS摄像头不可见的红外辐射。SMDVSMY1940X01和VSMY3940X01通过AEC-Q101认证,适合汽车应用。
红外发射器具有10ns的快速上升和下降时间,在20mA下的正向电压低至1.32V,辐照功率达55mW。顶视器件的封装匹配Vishay的VEMD2000X01和 VEMD2503X01系列探测器,侧视器件匹配VEMD2xx3SLX01和VEMT2xx3SLX01。红外发射器适合高脉冲电流操作,潮湿敏感度等级达到J-STD-020的2a和3级,即floor
life可达四周。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,支持无铅回流焊,无卤素。
器件规格表:
型号 |
辐照强度 (mW/sr) |
半强角 (°) |
正向电压 (V) |
辐照功率 (mW) |
封装 (mm) |
600 |
± 3 |
1.65 |
55 |
T-1 (5) |
|
10 |
± 60 |
1.45 |
50 |
0805 (2 x 1.25 x 0.85) |
|
15 |
± 60 |
1.44 |
55 |
PLCC-2 (3.5 x 2.8 x 1.75) |
|
120 |
± 10 |
1.55 |
55 |
Top-view with lens (2.3 x 2.3 x 2.8) |
|
VSMY2943G/RG** |
35 |
± 28 |
1.55 |
55 |
Top-view with lens (2.3 x 2.3 x 2.55) |
VSMY2943SL** |
35 |
± 28 |
1.55 |
55 |
Side-view with lens (2.3 x 2.55 x 2.3) |
82 |
± 9 |
1.32 |
40 |
Side-view with lens (3.2 x 2.51 x 1.2) |
*70mA正向电流
**将在2015年Q2发布
新的红外发射器现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十六周。
资源:
查看Vishay网站上分销商库存:VSLY5940,VSMY14940
VISHAY简介
Vishay
Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的较大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。
SurfLight®是Vishay
Intertechnology的商标。
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