CISSOID 向 Thales 交付首个碳化硅（ SiC ）智能功率模块

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比利时，蒙-圣吉贝尔—— 2016 年 4 月 15 日。高温及长寿命半导体解决方案的领先供应商CISSOID公司宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首个三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模块（IPM）原型。该模块在 Clean Sky Joint Undertaking 项目的支持下开发而成，通过减小重量和尺寸，该模块有助于提高功率转换器密度，从而支持多电飞机（More-Electrical Aircraft）中的发电系统和机电致动器。

此 IPM 可让栅极驱动器与功率晶体管完美整合，从而利用碳化硅（SiC）的全部优势，即低切换损耗和高工作温度。 凭借 HADES2®  隔离式栅极驱动器（该产品综合了多年的 SiC 晶体管驱动开发经验），并结合先进的封装技术，使功率模块在极端条件下实现可靠运行。

 

对于此航天级模块，已选择三相功率转换器拓扑结构，同时，对于混合动力汽车（HEV）和铁路项目，正在研究其他拓扑结构。在这个三相拓扑结构中，6个切换位置中的每个都包括一个100A SiC MOSFET晶体管和一个100A SiC肖特基续流二极管。这些器件可承受高达1200V的电压，为540V航天直流总线提供足够的防过压冗余，而且此模块在设计上可轻松使用1700V/150A SiC器件进行升级。晶体管的典型导通电阻为12.5mΩ或8.5mΩ，取决于其额定电流是100A还是150A。

在模块的设计中还特别注意了热工方面的问题。首先，所有选用的材料都允许在较高结温（高达200°C，峰值为225°C）下可靠运行，以降低冷却要求。这种选材还使该模块能耐受机体和储存温度较高（150℃）的情况。较后，该模块基于AlSiC基板、AIN基片和银烧结等高性能材料，以提供与SiC器件之间近乎完美的热膨胀系数（CTE）匹配，以及耐热方面的高鲁棒性和功率循环表现。

在同一个IPM中协同化设计栅极驱动器和功率模块使CISSOID可以优化栅极驱动器电路，并且在考虑功率模块的寄生电感的同时较大限度减少这种电感（如可能）。较大限度减少寄生电感可更快切换SiC晶体管并降低切换损耗。IPM还可为电力电子设计者提供一种即插即用解决方案，使他们在设计栅极驱动器板时节省大量时间，而使用SiC晶体管设计栅极驱动器板是非常具有挑战性的。这样，用户可集中精力设计充分利用SiC优点的高密度功率转换器。

Thales Avionics功率转换器设计团队经理Taoufik Bensalah表示：“很高兴能够在Clean Sky项目体系中与CISSOID团队合作。他们可以非常灵活地为我们提议相关解决方案，满足多电飞机对新一代高密度功率转换器的要求。”CISSOID工程副总裁Etienne Vanzieleghem补充道：“对于和 Thales 开展的这次成效显著的合作，以及我们在规范这个IPM时进行的开放性讨论，我们都感到非常愉快。我们还要感谢 Clean Sky项目使这次合作顺利成行，这也是CISSOID在结合封装和电路设计专业知识方面的一个良好范例。这个项目还提供了一个机会，增进了我们与塔布（CISSOID封装团队所在地）的PRIMES平台之间的合作关系。”

有关更多信息，请登录 www.cissoid.com。

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